[发明专利]具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法，包括：

（1）提供生长衬底，在其上顺序形成n型半导体层（6）、有源层（5）、p型半导体层（4）以及p型反射电极（2）；

（2）对部分p型半导体层（4）以及p型反射电极（2）进行蚀刻以露出部分有源层（5），从而形成台阶结构；

（3）将透明绝缘材料填充进台阶结构，从而形成透明绝缘层（3）；

（4）将所得结构倒置，将其设置在承载基板（1）上，并剥离生长衬底，从而露出n型半导体层（6）；

（5）在露出的n型半导体层（6）上形成透明电极层（7）；

（6）形成通槽（8），其穿透透明电极层（7）、n型半导体层（6）、有源层（5）、透明绝缘层（3），且通槽（8）具有内侧壁（8b）和外侧壁（8a）；

（7）在通槽（8）中填充用于透明电极层（7）的透明导电材料；

（8）利用外侧壁（8a）作为切割边界，对倒装发光二极管进行切割，从而去除部分透明电极层（7）、n型半导体层（6）、有源层（5）、透明绝缘层（3），从而在整个倒装发光二极管的四个侧面以及顶面上都形成了透明电极层（7）；

（9）在透明电极层（7）的整个表面排列单层自组装聚苯乙烯颗粒，并在单层自组装聚苯乙烯颗粒的间隙之间填充二氧化硅凝胶；

（10）对单层自组装聚苯乙烯颗粒进行加热，从而使单层自组装聚苯乙烯颗粒气化，形成二氧化硅凹凸图案；

（11）利用二氧化硅凹凸图案对透明电极层（7）进行ICP刻蚀，从而将凹凸图案转移到透明电极层（7）的整个表面，从而形成粗化结构（9）；以及

（12）去除凹凸图案。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管的制造方法，其中粗化结构（9）的粗糙度Ra为3.6nm-9.8nm，优选4.2nm、4.8nm、6.3nm、7.9nm、8.5nm、9.4nm。

3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管的制造方法，其中透明绝缘层（3）夹持在覆盖倒装发光二极管的侧面的透明电极层（7）与承载基板（1）上的p型反射电极（2）之间，以使透明电极层（7）与p型反射电极（2）彼此绝缘，且透明绝缘层（3）例如是Al₂O₃。

4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管的制造方法，其中透明电极层（7）是ITO、ZnO、AZO、ATO、FTO、SnO₂等中的一种或多种或上述材料的复合薄膜。