[发明专利]层状复合材料磁敏传感器等效电路宏模型建立方法有效

专利信息
申请号: 201310553387.9 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN103678767A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 景为平;文继伟;虞国良;缪小勇 申请(专利权)人: 南通大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 南京汇盛专利商标事务所 32238 代理人: 吴静安
地址: 226019 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 层状 复合材料 传感器 等效电路 模型 建立 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路模拟仿真,尤其涉及一种层状复合材料磁敏传感器大信号等效电路宏模型建立方法。

背景技术

随着传感器领域的应用不断的扩大,磁敏传感器器件的电路设计也越来越多,而磁敏传感器的各项参数直接决定了传感器的性能,而对传感器参数的设定需要通过大量的实验才能总结出最优方案,由此而进行的系统级模拟对于传感器参数设定是迫切需要的。在系统级的模拟中,等效电路宏模型的建立是传感器模拟设计的关键问题,因此急需一种能应用于系统级模拟的大信号等效电路宏模型建立方法。

发明内容

本发明目的在于克服以上现有技术之不足,提供一种层状复合材料磁敏传感器大信号等效电路宏模型建立方法,具体有以下技术方案实现:

所述层状复合材料磁敏传感器的等效电路宏模型建立方法,所述磁敏传感器外加交变激励电流Isource,线圈匝数N,磁致伸缩层与中间压电层的长度均为l、宽度均为w,磁致伸缩层和压电层的厚度分别为dp和dm、截面积分别为A1和A2,所述方法包括,

由机电耦合原理得到磁致伸缩层关于激励电流I和所受合力F的下列机电耦合关系:

I=lwϵ33TdpV+wd31pS11Eux,---(1)]]>

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学,未经南通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310553387.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top