[发明专利]用于电气和电子部件的铜合金材料及其制造方法在审
申请号: | 201310553345.5 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN103805807A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 朴哲民;黄寅晔 | 申请(专利权)人: | 株式会社豊山 |
主分类号: | C22C9/06 | 分类号: | C22C9/06;C22C9/10;C22C1/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电气 电子 部件 铜合金 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于电气和电子部件的铜合金材料,包括:0.5-4.0wt%的镍,0.1-1.0wt%的硅,0.02-0.2wt%的磷,其余为Cu和不可避免的杂质。
2.如权利要求1所述的铜合金材料,其中所述的不可避免的杂质包括至少一种过渡金属,所述过渡金属选自由钛、钴、铁、锰、铬、铌、钒、锆和铪构成的组,其中所述至少一种过渡金属利用P作为中介物与Ni-Si-P基沉淀物进行化学地结合以形成Ni-Si-P-X形式的化合物,其中X是过渡金属。
3.如权利要求1所述的铜合金材料,其中所述的不可避免的杂质的总量在所述铜合金材料的Ni和Si的总量的10wt%以内。
4.如权利要求1所述的铜合金材料,还包括0.3wt%或以下的镁。
5.如权利要求1所述的铜合金材料,还包括0.3wt%或以下的银。
6.如权利要求1所述的铜合金材料,还包括1.0wt%或以下的锌。
7.如权利要求1所述的铜合金材料,还包括0.8wt%或以下的锡。
8.如权利要求1所述的铜合金材料,其中所述的铜合金材料中的沉淀物具有1μm或以下的尺寸。
9.一种制造铜合金材料的方法,所述方法包括:
通过熔融和浇铸获得铸块,使得该铸块具有以下组成:0.5-4.0wt%的Ni,0.1-1.0wt%的Si,0.02-0.2wt%的P,其余为Cu和不可避免的杂质;
在介于750和1050℃之间的温度下热加工所述铸块和水冷该热加工的铸块;
冷加工该通过热加工所获得的产品至所需厚度,和在介于300和600℃之间的温度下重复地退火和空气冷却该冷加工的产品达1-15小时;和
在介于300和700℃之间的温度下持续地应力去除热处理该通过冷加工获得的产品达10-600秒。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述的不可避免的杂质的总量在所述铜合金材料的Ni和Si的总量的10%以内。
11.如权利要求9所述的方法,其中在所述熔融中,进一步添加0.3wt%或以下的Mg。
12.如权利要求9所述的方法,其中在所述熔融中,进一步添加0.3wt%或以下的Ag。
13.如权利要求9所述的方法,其中在所述熔融中,进一步添加1.0wt%或以下的Zn。
14.如权利要求9所述的方法,其中在所述熔融中,进一步添加0.8wt%或以下的Sn。
15.如权利要求9所述的方法,其中在所述铜合金材料中所形成的沉淀物具有1μm或以下的尺寸。
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