[发明专利]多晶硅还原尾气的处理方法和系统

权利要求书

1.一种多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，由下列步骤组成：

（1）将多晶硅还原尾气进行除尘处理，以便获得经过除尘的还原尾气；

（2）将所述经过除尘的还原尾气进行压缩处理，以便获得压缩后气；

（3）利用冷却水对所述压缩后气进行第一冷却处理，以便获得经过第一冷却处理的压缩后气和第一冷凝液；

（4）将所述经过第一冷却处理的压缩后气进行第二冷却处理，以便获得经过第二冷却处理的压缩后气和第二冷凝液；

（5）将所述经过第二冷却处理的压缩后气进行第三冷却处理，以便获得经过第三冷却处理的压缩后气和第三冷凝液；

（6）利用第一冷媒对所述经过第三冷却处理的压缩后气进行第四冷却处理，以便获得经过第四冷却处理的压缩后气和第四冷凝液；

（7）将所述经过第四冷却处理的压缩后气进行第五冷却处理，以便获得经过第五冷却处理的压缩后气和第五冷凝液；

（8）利用第二冷媒对所述经过第五冷却处理的压缩后气进行第六冷却处理，以便获得经过第六冷却处理的压缩后气和第六冷凝液，

其中，

将所述第三冷凝液、第四冷凝液、第五冷凝液和第六冷凝液与所述经过第一冷却处理的压缩后气进行第一双效换热处理，以便进行所述第二冷却处理，并且获得经过第一双效换热处理的冷凝液；

将所述经过第六冷却处理的压缩后气与所述经过第四冷却处理的压缩后气进行第二双效换热处理，以便进行所述第五冷却处理，并且获得经过第二双效换热处理的压缩后气；以及

将所述经过第二双效换热处理的压缩后气与所述经过第二冷却处理的压缩后气进行第三双效换热处理，以便进行所述第三冷却处理，并且获得经过第三双效换热处理的压缩后气。

2.根据权利要求1所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述除尘处理为利用氯硅烷进行湿法除尘。

3.根据权利要求2所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述湿法除尘是在0.4～0.6MPa的压力下和30～45摄氏度的温度下进行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（2）中，所述压缩后气的压力为0.9～1.2MPa。

5.根据权利要求1所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，在步骤（3）中，所述经过第一冷却处理的压缩后气的温度为35～45摄氏度。

6.根据权利要求1所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，在步骤（6）中，所述第一冷媒的温度为-35摄氏度，所述经过第四冷却处理的压缩后气的温度-25～-15摄氏度。

7.根据权利要求1所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，在步骤（8）中，所述第二冷媒的温度为-55摄氏度，所述经过第六冷却处理的压缩后气的温度-45～-35摄氏度。

8.根据权利要求1所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，进一步包括：

将所述第一冷凝液、第二冷凝液和经过第一双效换热处理的冷凝液进行精馏处理，以便获得三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅。

9.根据权利要求1所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，在将所述经过第六冷却处理的压缩后气与所述经过第四冷却处理的压缩后气进行第二双效换热处理之前，进一步包括：

对所述经过第六冷却处理的压缩后气进行氯化氢吸收处理，以便分离所述经过第六冷却处理的压缩后气中的氯化氢。

10.根据权利要求1所述多晶硅还原尾气的处理方法，其特征在于，进一步包括：

将所述经过第三双效换热处理的压缩后气进行吸附处理，以便获得氢气。