[发明专利]基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件及其制备方法有效
| 申请号: | 201310553001.4 | 申请日: | 2013-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN103594481B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
| 发明(设计)人: | 赵睿;李亮;喻湘华;张桥;吴艳光 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
| 主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 磺化 石墨 二氧 噻吩 苯乙烯 复合材料 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的记忆存储器件及其制备方法,属于新材料、有机存储器与微电子领域。
背景技术
随着移动终端的发展需要,存储器件的市场与存储器件的存储容量越来越大。常见的存储器件一般是利用无机氧化物半导体材料构造,通过减少晶体管的尺寸从而减低生成成本与提高存储容量。但是由于量子隧穿效应,无机氧化物半导体材料的制造工艺越来越负责,成本也逐渐提高。因为有机高分子材料具有分子结构可控、可弯曲、易加工、成本低廉等是优点,它们成为了制造新一代存储器件的候选材料之一。
聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)作为一种电活性材料,已经被广泛被作为有机电极,用于构造晶体管、发光二极管与太阳能电池。最近,聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)也被用来构造存储器件。利用聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)在不同的外加电场下,呈现出高电阻与低电阻不同的两种电阻状态,实现了信息的存储。但是由于在有机高分子材料中载流子传递较差,稳定性较差,导致基于有机高分子材料的存储器件重复性有待进一步改进。
石墨烯作为一种由碳原子以sp2杂化形式组成的二维平面晶格结构材料,有着优异的电学特性、极高的热传导率、良好的热稳定性和化学稳定性。但是由于石墨烯材料纳米片层之间的相互吸引作用,它极易发生聚集。如果不对其进行改性,石墨烯较难与其他材料实现均匀复合。通过在石墨烯的二维平面上引入磺酸基团,将会提高石墨烯的水溶性,有利于实现石墨烯与水溶性有机高分子材料的复合,改善石墨烯的溶液加工性能,使其能大规模的应用在光电器件、生物传感等领域。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件及其制备方法,通过调控复合材料中磺化石墨烯的含量,可调控基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件的开启电压和开关电流比。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件,其由下电极、旋涂在下电极上的磺化石墨烯/聚 (3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为存储器件的中间电活性存储层、沉积在电活性存储层上的上电极组成,所述的磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的制备方法包括有以下步骤:1)利用石墨,依次通过化学还原、磺化和还原步骤制备磺化石墨烯;2)将磺化石墨烯加入聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)水溶液中,超声分散30-60分钟,得磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的水溶液。
按上述方案,所述的磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为中间电活性存储层的厚度为60-100nm。
按上述方案,所述的磺化石墨烯在磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料中的重量比例为0.08%-0.32%。
基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1)利用石墨,依次通过化学还原、磺化和还原步骤制备磺化石墨烯;
2)将磺化石墨烯加入聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)水溶液中,超声分散30-60分钟,得磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的水溶液;
3)在下电极上以转速3000-5000转/分钟旋涂步骤2)所得复合材料的水溶液,旋涂时间为30-60秒;然后将表面旋涂有复合材料的下电极置于100度下干燥10-20分钟;
4)在旋涂完成的下电极上,通过热蒸发得到厚度为100-300nm的金属铝或铜作为上电极材料,即形成基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件。
按上述方案,所述的下电极为ITO导电玻璃、单晶硅、金属铝、或表面蒸镀有氧化铟掺锡的柔性PET聚酯薄膜;
本发明具有以下优点:1)利用水溶性的磺化石墨烯与聚合物复合,不需要使用有机溶剂,减轻了对环境的污染;2)磺化石墨烯与聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)在水相中实现均匀复合,保证器件的重复性和稳定性;3)复合材料的原料易得,制备条件简单,成本低,有利于大规模生产。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





