[发明专利]封装结构和其制作方法

权利要求书

1.一种封装结构的制作方法，包括：

提供一第一半导体元件，包括一第一电子元件，具有一第一侧和相对于该第一侧的第二侧；

形成一通孔，穿过该第一半导体元件，其中该通孔具有一第一开口和一第二开口，该第一开口邻近该第一侧，该第二开口邻近该第二侧；

形成一第一金属垫，覆盖该第一开口，其中该第一金属垫及该第一电子元件位于该第一半导体元件的同一平面上；

在形成该第一金属垫之后，采用一电镀工艺形成一导孔结构于该通孔中，其中该导孔结构包括导电材料且邻接该第一金属垫；及

将该第一半导体元件大体上与第二半导体元件垂直整合；

其中该第一金属垫的一部分延深入该通孔中。

2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，还包括：

形成一第二金属垫，覆盖该第二开口，且邻接该导孔结构。

3.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其中该第一半导体元件包括：

一第一半导体基底；

该第一电子元件设置于该第一半导体基底上，至少部分该第一电子元件邻近该第一半导体元件的该第一侧；及

一钝化层，设置于该第一半导体基底和该第一电子元件上。

4.如权利要求3所述的封装结构的制作方法，其中该第二半导体元件具有一第三侧和相对该第三侧的第四侧，且该第二半导体元件包括一第二半导体基底和一二电子元件，设置于该第二半导体基底上，至少部分第二电子元件邻近该第三侧。

5.如权利要求4所述的封装结构的制作方法，其中该第一半导体元件垂直整合该第二半导体元件，且该第一半导体元件的第一侧与该第二半导体元件的第三侧彼此面对。

6.如权利要求4所述的封装结构的制作方法，其中该第一半导体元件垂直整合该第二半导体元件，且该第一半导体元件的第二侧与该第二半导体元件的第三侧彼此面对。

7.如权利要求4所述的封装结构的制作方法，其中该第一半导体元件垂直整合该第二半导体元件，且该第一半导体元件的第二侧与该第二半导体元件的第四侧彼此面对。

8.如权利要求4所述的封装结构的制作方法，其中该第一半导体元件垂直整合该第二半导体元件，而该第一半导体元件的第一侧与该第二半导体元件的第四侧彼此面对。

9.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其中形成该第一金属垫的步骤包括进行一网印工艺，形成该第一金属垫，覆盖该第一开口。

10.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其中该第一半导体元件包括：

一第一半导体基底；

一第一电子元件，设置于该第一半导体基底上，且至少部分该第一电子元件邻近该第一半导体元件的该第二侧；及

一钝化层，设置于该第一半导体基底和该第一电子元件上。