[发明专利]太阳能硅片制程花篮

说明书

技术领域

本发明专利涉及一种太阳能硅片制程花篮，属于太阳能电池制备工具技术领域。

背景技术

目前在太阳能电池行业领域内，对硅片表面进行绒面处理的工艺，按其化学性质可以分为酸性制绒和碱性制绒这两种方法。在碱性制绒的过程中，要先把硅片放入花篮里，再将硅片和花篮整体放入到碱药槽中，使硅片与碱液反应，当硅片表面的绒面达到工艺要求时，硅片和花篮整体取出。在酸性制绒法处理硅片的过程中，同样要把装有硅片的花篮一同放入酸药槽中浸泡清洗，待清洗完成后将花篮取出。现有用于太阳能电池制程的花篮在于硅片2接触的地方通常采取沟槽式的设计，示意图请见图1。如图2所描述，不论卡槽的长短，在湿法工艺中只要花篮与硅片浸泡在化学液体内，硅片就会吸附在花篮卡槽1边缘上，让工艺均匀性降低，造成卡槽痕3。图3显示硅片在制程中因吸附花篮卡槽而造成的卡槽痕。根据不同的花篮卡槽设计，就会造成对应的卡槽痕3。

发明内容

本发明的目的是提供了一种太阳能硅片制程花篮，设计巧妙，硅片与花篮之间为点接触，解决了硅片与卡槽面接触或线接触造成的卡槽痕的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的，太阳能硅片制程花篮，花篮上设有卡槽，卡槽的形状为弧形，硅片与花篮卡槽之间为点接触。

进一步地，所述花篮横轴卡槽数量为1-300。

进一步地，所述卡槽与硅片侧边接触点的个数为1-45。

本发明具有以下有益效果：藉由弧形的卡槽设计来回避硅片吸附卡槽边缘的问题，如此在卡槽内的硅片即使稍微移动，也可确保不会吸附在卡槽边缘造成卡槽痕。

附图说明

图1是现有技术硅片与花篮卡槽的示意图；

图2是现有技术硅片吸附花篮卡槽边缘的示意图；

图3是现有技术因硅片吸附花篮造成的卡槽痕范例的示意图；

图4是本发明太阳能硅片制程花篮卡槽与硅片的结构示意图；

图中：1花篮卡槽、2硅片、3卡槽痕。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本发明作进一步具体的说明。

如图4所示，太阳能硅片制程花篮，花篮上设有卡槽，所述卡槽的形状为弧形，硅片与花篮卡槽之间为点接触。

花篮横轴卡槽数量为1-300。

花篮卡槽1与硅片2侧边接触点的个数为1-45。