[发明专利]Ti3SiC2基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用

权利要求书

1.Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用。

2.如权利要求1所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用，其特征是：所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料的化学式为Ti₃SiC₂。

3.Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用，所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料为单相Ti₃SiC₂陶瓷材料，或以Ti₃SiC₂为基体，与具有耐腐蚀性的复合相进行复合而制得。

4.如权利要求3所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用，其特征是：所述的复合相为SiC、ZrB₂、TiC、Ni、Mo、Nb、W、Cu、C、Ti、Hf、Ta中的一种或两种以上的组合。

5.如权利要求3所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用，其特征是：所述的复合相在基体中的含量为0.01～90wt%。

6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用，其特征是：所述的熔融氟盐为FLINAK、FLiBe中低共融组分的组合。

7.如权利要求1至5中任一权利要求所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用，其特征是：所述的Ti₃SiC₂基陶瓷采用粉末烧结技术制备。

8.如权利要求7所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用，其特征是：所述的Ti₃SiC₂基陶瓷采用电阻加热烧结、微波烧结、热压烧结或放电等离子快速烧结技术制备。

9.如权利要求1至5中任一权利要求所述的Ti₃SiC₂基陶瓷材料作为熔盐反应堆用结构材料、以氟盐为电解质的乏燃料干法后处理用功能电极材料，以及合金表面耐氟盐腐蚀薄膜或涂层材料。