[发明专利]P-型背钝化太阳能电池的制备方法

权利要求书

1. P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述制备方法包括以下步骤：

（1）在P-型硅片上表面制绒及扩散；

（2）对扩散后的P-型硅片的背面进行刻蚀处理；

（3）刻蚀处理后的P-型硅片的背面镀膜形成钝化层；

（4）P-型硅片的正面镀膜形成抗反射层；

（5）背面钝化层上通过激光进行开孔；

（6）对激光开孔处理后的P-型硅片进行热处理，激发正面抗反射薄膜和背面钝化层的钝化效果，降低正面反射率，同时修复激光开孔造成的损伤；

（7）热处理后的P-型硅片上印刷电极，将电极烧结在P-型硅片，得到P-型背钝化太阳能电池。

2. 根据权利要求1所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述抗反射层为一层至十层薄膜，各个薄膜厚度为1奈米至200奈米。

3. 根据权利要求1所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述钝化层为一层至十层薄膜，各个薄膜厚度为1奈米至200奈米。

4. 根据权利要求1所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述背面激光开孔的形状为圆形或线形，开孔率为百分之一至百分之三十。

5.根据权利要求1所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述热处理工艺温度为400摄氏度到1100摄氏度，热处理工艺时间为1分钟到120分钟。

6. 根据权利要求2所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述抗反射层为两层薄膜，各个薄膜厚度为50奈米。

7. 根据权利要求3所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述钝化层为两层薄膜，第一层薄膜厚度为30奈米，第二层薄膜厚度为100奈米。

8. 根据权利要求4所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述背面激光开孔的形状为圆形或线形，开孔率为所述P-型硅片百分之二十。

9.根据权利要求5所述的P-型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述热处理工艺温度为900摄氏度，热处理工艺时间为30分钟。