[发明专利]一种半浮栅感光器件的制造方法

权利要求书

1. 半浮栅感光器件的制造方法，包括浮栅和控制栅的形成方法，其特征在于，所述浮栅和控制栅的形成方法包括以下步骤：

覆盖所形成的结构，淀积第一层导电薄膜；

在所述第一层导电薄膜之上形成第二层绝缘薄膜；

在所述第二层绝缘薄膜之上淀积第二层导电薄膜；

通过光刻工艺和刻蚀工艺刻蚀所述第二层导电薄膜，刻蚀后剩余的所述第二层导电薄膜形成器件的控制栅；

沿着所述控制栅的两侧边沿，继续刻蚀掉暴露出的所述第二层绝缘薄膜和所述第一层导电薄膜，刻蚀后剩余的所述第一层导电薄膜形成器件的浮栅，所述浮栅与部分具有第一种掺杂类型的掺杂阱连接，将另一部分具有第一种掺杂类型的掺杂阱暴露出来。

2. 根据权利要求1所述的半浮栅感光器件的制造方法，其特征在于：在所述浮栅和控制栅的形成方法之前还包括以下步骤：

在具有第一种掺杂类型的半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构或者硅局部氧化结构；

在所述半导体衬底内形成具有第二种掺杂类型的掺杂阱；

在所述半导体衬底的表面形成第一层绝缘薄膜，然后通过光刻工艺形成图形；

以光刻胶为掩膜刻蚀掉暴露出的所述第一层绝缘薄膜；

以刻蚀后剩余的所述第一层绝缘薄膜为掩膜，进行离子注入，在所述具有第二种掺杂类型的掺杂阱内形成具有第一种掺杂类型的掺杂阱，所述具有第一种掺杂类型的掺杂阱与所述具有第二种掺杂类型的掺杂阱形成用于产生光电效应的pn结二极管。

3. 根据权利要求1所述的半浮栅感光器件的制造方法，其特征在于：在所述浮栅和控制栅的形成方法之后还包括以下步骤：

在所述控制栅的两侧形成栅极侧墙；

沿着所述栅极侧墙刻蚀掉暴露出的所述第一层绝缘薄膜；

进行离子注入，在所述半导体衬底内形成源漏掺杂；

进行电极隔离和电极形成，并形成光通道，使得光能照射到所述用于产生光电效应的pn结二极管上。

4. 根据权利要求1所述的半浮栅感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第一层导电薄膜材料为多晶锗化硅、多晶硅、钨、氮化钛或者合金材料中的任意一种。

5. 根据权利要求1所述的半浮栅感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第二层导电薄膜为掺杂的多晶硅、金属或者它们之间的叠层中的任意一种。

6. 根据权利要求1~3所述的任意一种半浮栅感光器件的制造方法，其特征在于：所述的半导体衬底为硅、绝缘体上的硅、锗化硅或者砷化镓中的任意一种。

7. 根据权利要求1~2所述的任意一种半浮栅感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第一种掺杂类型为n型，所述的第二种掺杂类型为p型；或者，所述的第一种掺杂类型为p型，所述的第二种掺杂类型为n型。

8. 根据权利要求1~3所述的任意一种半浮栅感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第一层绝缘薄膜、第二层绝缘薄膜为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、具有高介电常数的绝缘材料或者它们之间的叠层中的任意一种。