[发明专利]晶体滤波器

权利要求书

1.一种晶体滤波器，包括差接桥型电路及电路基板，所述差接桥型电路设置于电路基板上，所述差接桥型电路包括若干晶体谐振器，其特征在于：所述若干晶体谐振器中的一个或多个的非公共端引脚焊盘上各焊接有一高频耦合线，所述高频耦合线的另一端固定连接于电路基板上且与所述电路基板相绝缘。

2.如权利要求1所述的晶体滤波器，其特征在于：所述高频耦合线为漆包线。

3.如权利要求1所述的晶体滤波器，其特征在于：所述高频耦合线的另一端通过弹性胶固定连接于电路基板上。

4.如权利要求1所述的晶体滤波器，其特征在于：通过调节高频耦合线的另一端与电路基板固定连接的位置可调节晶体滤波器的矩形系数以及阻带抑制。

5.如权利要求1所述的晶体滤波器，其特征在于：所述差接桥型电路包括第一至第四晶体谐振器、第一及第二变量器、第一至第三电容以及电感，所述第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，所述第一变量器的次级线圈的两端分别与第一及第三晶体谐振器的第一端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地，所述第一晶体谐振器的第二端直接与第三晶体谐振器的第二端相连，所述第一晶体谐振器的第二端还直接通过第二晶体谐振器之后与第二变量器的次级线圈的第一端相连，所述第三晶体谐振器的第二端还直接通过第四晶体谐振器之后与第二变量器的次级线圈的第二端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地，所述第三晶体谐振器的第二端还直接通过电感接地，所述第三电容与电感并联连接，所述第二变量器的初级线圈的两端则作为晶体滤波器的输出端。

6.如权利要求5所述的晶体滤波器，其特征在于：所述第一至第四晶体谐振器均为石英晶体谐振器，其谐振频率分别为：f1=f2=70.021MHz，f3=f4=69.905MHz。

7.如权利要求5所述的晶体滤波器，其特征在于：所述第一及第二变量器的次级线圈均为双线并绕十圈、初级线圈单绕三圈。

8.如权利要求5所述的晶体滤波器，其特征在于：所述电感单绕十五圈。

9.如权利要求5所述的晶体滤波器，其特征在于：所述高频耦合线的直径为0.35mm、长度为2～3mm。

10.如权利要求1所述的晶体滤波器，其特征在于：所述差接桥型电路包括第一至第八晶体谐振器、第一至第五电容、第一及第二变量器、电感，所述第一及第二变量器对称设置，其中第一变量器的初级线圈为晶体滤波器的输入端，所述第二变量器的初级线圈为晶体滤波器的输出端，所述第一变量器的次级线圈的两端分别连接第一晶体谐振器和第五晶体谐振器，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地，所述第二变量器的次级线圈的两端分别连接第四晶体谐振器和第八晶体谐振器，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地，所述电感的一端与第二晶体谐振器和第三晶体谐振器的第一端连接，所述电感的另一端与第六晶体谐振器和第七晶体谐振器的一端连接，所述电感的线圈的中间端接地；所述第一晶体谐振器、第二晶体谐振器、第五晶体谐振器和第六晶体谐振器的另一端分别与第四电容的一端连接，所述第四电容的另一端接地，所述第三晶体谐振器、第四晶体谐振器、第七晶体谐振器和第八晶体谐振器的另一端分别与第五电容的一端连接，所述第五电容的另一端接地，所述第一电容与第一变量器的次级线圈并联设置，所述第二电容与第二变量器的次级线圈并联设置，所述第三电容与电感并联连接。