[发明专利]自激振荡电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有进行自激振荡的振荡部的自激振荡电路。

背景技术

具备晶体振动器(crystal resonator)的振荡电路在信息、通讯领域中被大范围地应用，而要求进一步的小型化、节电化，并且要求高的频率稳定性。一般而言，为人所周知的是，晶体振动器随着小型化，可使其稳定地动作的驱动电流的上限(耐驱动电流)降低。另一方面，也存在如下情况：如果考虑振荡频率相对于电子噪声或温度变化的稳定性，则难以令使晶体振动器振荡的驱动电流小于耐驱动电流。

例如，引用文献1中记载有如下技术：在使液体中的传感对象物吸附在压电振动器的表面上所形成的吸附层、来进行传感的传感装置中，通过使压电振动器振荡的驱动电流设为0.3mA以下，而抑制压电振动器的自发热，从而准确地把握因传感对象物的吸附所引起的频率的变化量。然而，引用文献1中，对于解决降低供给至压电振动器的驱动电流时所产生的所述问题的方法未作记载。

另外，引用文献2中记载有如下方法：在具备了由晶体振动器构成的泛音振荡器(overtone oscillator)的科尔皮兹(Colpitts)型振荡电路的振荡回路(1oop)内，设置了由晶体振动器构成的泛音共振器、来用作使规定的泛音频率通过的滤波器(filter)，由此，缩窄振荡频率的频带。该引用文献2中，也未记载降低驱动电流并且获得稳定的振荡频率的技术。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2008-157751号公报：权利要求第1项、段落0011

[专利文献2]日本专利特开2002-232234号公报：段落0003～0013、图3

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明是在所述情况下而完成的，其目的在于提供一种自激振荡电路，其驱动电流小且可振荡稳定的频率信号。

[解决问题的技术手段]

本发明的自激振荡电路包括：振荡部，进行自激振荡；及放大部，将利用该振荡部而振荡的频率信号放大、并反馈给该振荡部；且所述自激振荡电路是：

在包含所述振荡部与放大部的振荡回路中，设置有共振器，所述共振器的共振频率在所述振荡部的振荡频率的附近，且Q值高于所述振荡部。

所述自激振荡电路也可具备下述特征。

(a)所述共振器的Q值为所述振荡部的Q值的10倍以上。

(b)所述振荡部为电感电容(inductance capacitance，LC)振荡电路、或电阻电容(resistance capacitance，RC)振荡电路。

(c)所述共振器为压电振动器或微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)振动器。另外，所述压电振动器为晶体振动器。

(d)所述共振器的共振频率处于所述振荡部的振荡频率的±10％的范围内。

(e)用以使所述振荡部振荡的驱动电流为0.3mA以下。

[发明的效果]

根据本发明，进行自激振荡的振荡部可利用相对小的驱动电流进行振荡，因此，除了可实现节电化以外，还不易产生活性下降(activity dip)或频率下降(frequency dip)。另外，在振荡回路中设置有Q值高于振荡部的共振器，因此，通过该共振器的牵入现象(entrainment phenomenon)，可使自激振荡电路整体的频率特性提高。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的科尔皮兹型的自激振荡电路。

图2(a)、图2(b)是设置在所述自激振荡电路的电路零件。

图3是所述电路零件的局部放大俯视图。

图4(a)、图4(b)是构成设置在所述自激振荡电路的共振器的晶体振动器。

图5是构成所述共振器的表面声波(Surface Acoustic Wave，SAW)振动器的第一例。

图6是构成所述共振器的表面声波振动器的第二例。

图7(a)、图7(b)是构成所述共振器的微机电系统振动器的示例。

图8是所述自激振荡电路的第一变形例。

图9是所述自激振荡电路的第二变形例。

图10是所述自激振荡电路的第三变形例。

图11是所述自激振荡电路的第四变形例。

图12是皮尔斯(Pierce)型的自激振荡电路的构成例。

图13是克拉普(Clapp)型的自激振荡电路的构成例。