[发明专利]一种改善半导体芯片封装可靠性的结构及其制备方法

权利要求书

1.一种改善半导体芯片封装可靠性的结构，该结构层从上至下包括玻璃层、支撑结构层、空腔层、硅基层、金属层与阻焊层，其特征在于，所述支撑结构层、硅基层与金属层的边缘被所述阻焊层包裹；且该结构的边缘仅包括所述玻璃层与所述阻焊层。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述阻焊层的边缘短于所述玻璃层，使得所述阻焊层与所述玻璃层的边缘形成一蚀刻凹槽。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述支撑结构层成分包括：环氧基树脂、硅基树脂与苯丙环丁烯树脂。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属层成分包括：铜、镍或者金。

5.一种改善半导体芯片封装可靠性结构的制备方法，其特征在于，该方法包括：

在半导体芯片的金属层上涂覆光刻胶，并确保光刻胶的边缘短于所述金属层；

由所述光刻胶上方，并沿光刻胶边缘开始蚀刻，将所述金属层及金属层上方的硅基层与支撑结构层的边缘蚀刻直至与所述金属层下方的阻焊层边缘平齐；

去除所述金属层上的光刻胶，并在蚀刻后的所述金属层、硅基层与支撑结构层的边缘填充阻焊层，使所述阻焊层包裹所述金属层、硅基层与支撑结构层的边缘，且与该半导体芯片最上方的玻璃层平齐。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，该方法还包括：

蚀刻包裹在所述金属层、硅基层与支撑结构层的边缘的阻焊层，使得所述阻焊层的边缘短于所述玻璃层，并形成一蚀刻凹槽。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，蚀刻所述阻焊层边缘时采用干法蚀刻。