[发明专利]一种半导体组件的非导电层结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310545537.1 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104637921B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;李健;杜鹏;鲍东兴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 组件 导电 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体组件非导电层结构的制作方法，其特征在于：
⑴先在阻挡金属层上淀积第一非导电性材料层，在第一非导电性材料层上淀积第二非导电性材料层，在该第二非导电性材料层上淀积氮氧化硅层，在该氮氧化硅层上淀积第三非导电性材料层；
⑵在第三非导电性材料层上形成通孔的光刻胶图形；
⑶以通孔的光刻胶图形为掩膜，进行第一次蚀刻工艺，在第三非导电性材料层、氮氧化硅层中形成通孔；
⑷继续以通孔的光刻胶图形为掩膜，进行第二次蚀刻工艺，在所述第二非导电性材料层、第一非导电性材料层中形成通孔；
⑸在通孔中填充导电材料，在第三非导电性材料层上淀积金属形成介层窗。
2.根据权利要求1所述的半导体组件非导电层结构的制作方法，其特征在于：所述第一非导电性材料层为掺硼的SiO2层，所述第二非导电性材料层为二氧化硅层，所述第三非导电性材料层为二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的半导体组件非导电层结构的制作方法，其特征在于：所述介层窗由金属铝或铜或铝铜合金中的一种构成。
4.根据权利要求1所述的半导体组件非导电层结构的制作方法，其特征在于：相邻所述通孔之间的距离大于相邻所述介层窗之间的距离。
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