[发明专利]一种用于纳米压印的复合模板及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310545363.9 申请日: 2013-11-06
公开(公告)号: CN103576449A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 陈辉婷;胡昕;袁长胜 申请(专利权)人: 无锡英普林纳米科技有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李媛媛
地址: 214192 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 纳米 压印 复合 模板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于纳米压印的复合模板,包括弹性体的结构模板,其特征在于,在弹性体的结构模板上依次制备有二氧化硅渐变层和防粘层。

2.如权利要求1所述一种用于纳米压印的复合模板的制备方法,包括如下步骤:

1)将弹性体通过热压印制成表面光滑平整的薄膜:

a)称量一定质量的弹性体,将其置于两层洁净的PET薄膜之间,置于压印仪腔内,设置温度压强,通过热压使弹性体形成薄膜;

b)将上一步初步成形的薄膜置于两片防粘硅片之间,再次通过热压形成光滑的弹性体薄膜;

2)通过镍模板的压印,在弹性体薄膜表面形成纳米结构:

将弹性体弹性体与镍模板紧密贴合,置于压印仪腔内,使用热压印将镍模板上的纳米结构转移到弹性体薄膜表面;

3)在弹性体薄膜表面形成的纳米结构上沉积一层二氧化硅渐变层,形成复合结构;

a)活化清洗基体表面:将基体置于等离子体装置腔室内,抽真空至1.0×10-4Pa~1.0×10-3Pa之后通入氩气至真空度为1.5Pa~2.0Pa,打开射频电源,功率设定为100W~400W,用氩等离子体对基体表面进行活化清洗,清洗时间为5-10分钟;

b)沉积薄膜:步骤a)完成后,停止氩气通入,通入SiH4和N2O的混合气体至压强为4.0Pa~6.0Pa,打开射频电源,功率设定为150~300W,采用等离子体化学气相沉积方法沉积1~5分钟即获得二氧化硅渐变层薄膜;其中SiH4和N2O的质量流量百分比分别为8%~21%、79%~92%;

4)在复合结构表面使用氯硅烷进行防粘处理,形成所述复合模板:

a)使用氧气ICP处理复合结构表面60s,使表面形成硅羟基,

b)将复合结构放入干燥器中,在干燥器内滴入一至二滴防粘试剂,静置24小时使其挥发至复合结构表面。

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