[发明专利]二极体、二极体或其他二端积体电路的液体或胶体悬浮液的可印组成物及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201310544336.X 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN103633222A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 马克·D·洛文索;威廉·约翰斯顿·雷;尼尔·O·莎顿;理查德·A·布兰查德;布莱德·欧罗;马克·亚伦·里王道斯基;杰佛瑞·巴德瑞君;艾瑞克·安东尼·皮罗奇洛 申请(专利权)人: 无限科技全球公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/00;F21S4/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 二极体 其他 积体电路 液体 胶体 悬浮液 组成 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二极体,其包含:

发光或光吸收区域,其直径为介于约20微米至30微米之间且高度为介于2.5微米至7微米之间;

复数个第一端子,其间隔开且在第一侧上周边耦接至该发光或光吸收区域,该复数个第一端子中的各第一端子的高度为介于约0.5微米至2微米之间;及

一个第二端子,其在该第一侧上中心耦接至该发光或光吸收区域的台面区域,该第二端子的高度为介于1微米至8微米之间。

2.如权利要求1的二极体,其中该台面区域的高度为0.5微米至2微米且直径为介于约6微米至22微米之间。

3.如权利要求1的二极体,其中该台面区域进一步包含形成合金的金属层,该形成合金的金属层在该第二端子之前沈积且包含镍,或镍及金,其高度为约20至30埃且耦接至该第二端子。

4.如权利要求1的二极体,其中该第二端子进一步包含高度为约0.5微米至1.5微米且直径为约6微米至10微米的中心金属层,该中心金属层耦接至该发光或光吸收区域之该台面区域。

5.如权利要求4的二极体,其中该第二端子进一步包含高度为约4微米至6微米且宽度为介于约4微米至11微米之间并与该发光或光吸收区域的该台面区域及该中心金属层形成合金的模用金属。

6.如权利要求1的二极体,其中该复数个第一端子中的各第一端子包含导孔金属,其宽度为介于约2微米至4微米之间且长度为介于约6微米至11微米之间。

7.如权利要求1的二极体,其中该二极体的直径、或宽度及长度为介于约10微米至50微米之间且高度为介于约5微米至25微米之间。

8.如权利要求1的二极体,其中该二极体在侧向上实质上为六角形,其相对面对面所量测的直径为介于约10微米至50微米之间,且高度为介于约5微米至25微米之间。

9.如权利要求1的二极体,其中该二极体的该发光或光吸收区域实质上为六角形、正方形、三角形、矩形、叶形、星形或超环形。

10.如权利要求1的二极体,其中该二极体的该发光或光吸收区域具有包含以下的表面纹理:复数个圆环,或复数个实质上曲边梯形,或复数个平行条纹,或星形图案。

11.如权利要求1的二极体,其中该二极体在侧向上实质上为六角形且其中该二极体的各侧面的高度小于约10微米。

12.如权利要求1的二极体,其中该第二金属端子的接点与该复数个第一金属端子的接点在高度上间隔约1微米至7微米。

13.如权利要求12的二极体,其中该二极体的各侧面具有实质上S形弯曲且终止于弯曲点。

14.如权利要求1项的二极体,其中该二极体包含至少一种选自由以下组成的群的无机半导体:硅、砷化镓、氮化镓、GaP、InAlGaP、AlInGaAs、InGaNAs及AlInGaSb。

15.如权利要求1的二极体,其中该二极体包含至少一种选自由以下组成的群的有机半导体:π共轭聚合物、聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(噻吩)、聚苯胺、聚噻吩、聚(对苯硫醚)、聚(对伸苯基伸乙烯基)及聚(对伸苯基伸乙烯基)衍生物、聚(3-烷基噻吩)、聚吲哚、聚芘、聚咔唑、聚甘菊蓝、聚氮呯、聚(茀)、聚萘、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯并噻吩、聚苯并噻吩衍生物、聚对伸苯基、聚对伸苯基衍生物、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚二乙炔、聚二乙炔衍生物、聚对伸苯基伸乙烯基、聚对伸苯基伸乙烯基衍生物、聚萘、聚萘衍生物、聚异苯并噻吩、伸杂芳基为噻吩、呋喃或吡咯之聚伸杂芳基伸乙烯基、聚苯硫、聚迫位萘、聚酞菁,及其衍生物、其共聚物及其混合物。

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