[发明专利]一种电池用复合中间反射层以及多结多叠层硅基薄膜电池

权利要求书

1.一种电池用复合中间反射层，其特征是，该复合中间反射层是包括至少一层中间反射层的多层膜结构，与每层中间反射层相邻的前一层和后一层均为不含氧或氮的n型掺杂层；所述中间反射层为掺杂的n型SiOx或SiNx膜层；所述n型掺杂层为n型掺杂的μc-Si_1-xGe_x、n型掺杂的μc-Si、n型掺杂的A-Si_1-xGe_x、n型掺杂的A-Si，n型掺杂的μc-SiC、n型掺杂的A-SiC半导体材料层中的一种或多种，其中0≤x≤1。 

2.根据权利要求1所述电池用复合中间反射层，其特征是，按照光线入射顺序，后一层中间反射层的折射率低于前一层中间反射层的折射率，且每一层中间反射层的折射率在1.46～3.5之间。 

3.根据权利要求1所述电池用复合中间反射层，其特征是，所述中间反射层的数量为1-7层。 

4.根据权利要求1所述电池用复合中间反射层，其特征是，所述中间反射层为n型掺杂的SiO_x材料，采用等离子体增强化学气相沉积方法形成，制备条件是：衬底温度为150℃～400℃，工艺压力为0.2mbar～5mbar，射频功率密度50W/cm²～250mW/cm²，(0.5%PH₃/H₂)/SiH₄的体积流量比为3～15（0.5%PH₃/H₂为PH₃混合于载气H₂中的总体积分数为0.5%），CO₂/SiH₄的体积流量比0.5～5，SiH₄/H₂的体积流量比为0.005～0.1；所述中间反射层的总厚度为10nm-80nm。 

5.根据权利要求1所述电池用复合中间反射层，其特征是，所述中间反 射层为n型掺杂的SiNx材料，采用等离子体增强化学气相沉积方法形成，制备条件是：衬底温度为150℃～400℃，工艺压力为0.2mbar～5mbar，射频功率密度50mW/cm₂～250mW/cm₂，(0.5%PH₃/H₂)/SiH₄的体积流量比为3～15，NH₃/SiH₄的体积流量比0.2～2，SiH₄/H₂的体积流量比为0.005～0.1，所述中间反射层的总厚度为10nm-80nm。 

6.根据权利要求1所述电池用复合中间反射层，其特征是，所述每层n型掺杂层的厚度为1nm-20nm。 

7.根据权利要求1所述电池用复合中间反射层，其特征是，位于两层中间反射层之间的n型掺杂层厚度为2.5nm-3.5nm，位于中间反射层外层的n型掺杂层的厚度为11nm-13nm。 

8.一种多结多叠层硅基薄膜电池，其特征是，在每两个相邻的PIN结之间有权利要求1-7之一所述的复合中间反射层。 

9.根据权利要求8所述多结多叠层硅基薄膜电池，其特征是，为以下电池结构之一： 

（1）基片/TCO/n-μc-Si_1-xGe_x/i-μc-Si_1-xGe_x/p-μc-Si_1-xGe_x/复合中间反射层/n-μc-Si/i-μc-Si/p-μc-Si/复合中间反射层/n-A-Si_1-xGe_x/i-A-Si_1-xGe_x/p-A-Si_1-xGe_x/复合中间反射层/n-A-Si/i-A-Si/p-A-Si/复合中间反射层/n-μc-SiC/i-μc-SiC/p-μc-SiC/复合中间反射层/n-A-SiC/i-A-SiC/p-A-SiC/TCO/减反射膜； 

（2）基片/TCO/n-μc-Si_1-xGe_x/i-μc-Si_1-xGe_x/p-μc-Si_1-xGe_x/复合中间反射层/n-μc-Si/i-μc-Si/p-μc-Si/复合中间反射层/n-A-Si_1-xGe_x/i-A-Si_1-xGe_x/p-A-Si_1-xGe_x/复合中间反射层/n-A-Si/i-A-Si/p-A-Si/复合中间反射层/n-A-SiC/i-A-SiC/p-A-SiC/TCO/减反射膜； 

（3）基片/TCO/n-μc-Si_1-xGe_x/i-μc-Si_1-xGe_x/p-μc-Si_1-xGe_x/复合中间反射层/n-μc-Si/i-μc-Si/p-μc-Si/复合中间反射层/n-A-Si_1-xGe_x/i-A-Si_1-xGe_x/p-A-Si_1-xGe_x/复合中间反射层/n-A-Si/i-A-Si/p-A-Si/TCO/减反射膜； 

（4）基片/TCO/n-μc-Si_1-xGe_x/i-μc-Si_1-xGe_x/p-μc-Si_1-xGe_x/复合中间反射层/n-μc-Si/i-μc-Si/p-μc-Si/复合中间反射层/n-A-Si/i-A-Si/p-A-Si/TCO/减反射膜； 

其中，TCO层与相邻的复合中间反射层以及相邻两复合中间反射层之间构成一结，0≤x≤1；“/”表示两层之间的界面，基片为玻璃、不锈钢或高分子材料。