[发明专利]封装纳米结构组件和用于制作封装纳米结构组件的方法

权利要求书

1.一种装配组件，包括：

组件载体；

部署在所述组件载体上的附接层；以及

部署在所述附接层上的组件，所述组件具有面对所述组件载体的纳米结构第一主表面。

2.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述附接层是绝缘粘合带或绝缘粘合膏。

3.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述附接层是导电粘合带或导电粘合膏。

4.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述附接层包括焊接层。

5.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

纳米结构第一主表面包括高浓度掺杂剂。

6.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述纳米结构第一主表面包括黑硅。

7.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述组件进一步包括与所述纳米结构第一主表面相对的纳米结构第二主表面。

8.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述组件载体与所述组件之间的距离在大约10μm与大约50μm之间。

9.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述组件载体与所述组件之间的距离在大约5μm与大约10μm之间。

10.根据权利要求1所述的装配组件，其中，

所述纳米结构主表面包括了包括有纳米结构主表面的针形物或锥形物。

11.一种用于制作装配组件的方法，包括：

在组件载体上形成附接层；并且

在所述附接层上放置组件的第一主表面，所述组件的所述第一主表面包括纳米结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述附接层是绝缘粘合带或绝缘粘合膏。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述附接层是导电粘合带或导电粘合膏。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述附接层包括焊接层。

15.根据权利要求11所述的方法，

进一步包括将离子注入所述纳米结构中。

16.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

将所述组件的组件接触焊盘与所述组件载体的组件载体接触焊盘连接；并且

灌封所述组件。

17.一种用于制造组件的方法，包括：

用保护层来覆盖硅晶片的正面；

对所述硅晶片的背面进行纳米结构化；

从所述硅晶片的所述正面去除所述保护层；并且

将所述硅晶片分离为单独的管芯。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，

所述硅晶片的所述背面的所述纳米结构化包括应用干法刻蚀技术。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，

所述硅晶片的所述背面的所述纳米结构化包括应用湿法刻蚀技术。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，

所述硅晶片的所述背面的所述纳米结构化包括应用激光技术或电子束技术。