[发明专利]压力传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：

基底，在所述基底中形成有晶体管；

位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层覆盖基底和晶体管，在所述层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与晶体管电连接；

位于所述层间介质层上的压力感应膜，所述压力感应膜覆盖层间介质层且与晶体管电连接，所述下极板与压力感应膜之间具有空腔；

位于所述压力感应膜上的多个相互隔开的块状件，所述块状件位于空腔上方，所述压力感应膜上表面露出。

2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述多个相互隔开的块状件均匀分布。

3.如权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述多个相互隔开的块状件关于空腔上的压力感应膜的中心呈对称分布。

4.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述块状件中形成有环形沟槽。

5.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述块状件上表面的各边之间的夹角为光滑圆角。

6.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述块状件的材料为氧化硅、多晶硅或氮化硅。

7.一种压力传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底中形成有晶体管；

在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖基底和晶体管，在所述层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与晶体管电连接；

在所述层间介质层上形成压力感应膜，所述下极板与压力感应膜之间具有空腔；

在所述压力感应膜上形成应力层；

对所述应力层进行图形化，形成多个相互隔开的块状件，所述块状件位于空腔上方，所述压力感应膜上表面露出。

8.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述多个相互隔开的块状件均匀分布。

9.如权利要求8所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述多个相互隔开的块状件关于空腔上的压力感应膜的中心对称分布。

10.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，对所述应力层进行图形化时，还在所述块状件中形成环形沟槽。

11.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述块状件上表面的各边之间的夹角为光滑圆角。

12.如权利要求11所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，对所述应力层进行图形化的方法包括：

在所述应力层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行图形化，在光刻胶层中形成窗口，所述窗口的相邻两侧面之间的夹角为光滑圆角；

以所述图形化后的光刻胶层为掩模，刻蚀应力层形成多个相互隔开的块状件。

13.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，在所述压力感应膜上形成应力层的方法为低压化学气相沉积。

14.如权利要求13所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，使用低压化学气相沉积形成应力层的温度范围为400～430℃。

15.如权利要求13所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为氧化硅、多晶硅或氮化硅。

16.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，在所述层间介质层上形成压力感应膜和空腔的方法包括：

在所述下极板上形成无定形碳层；

沉积形成压力感应膜，所述压力感应膜覆盖层间介质层和无定形碳层；

在所述无定形碳层上表面形成孔，所述孔露出无定形碳层；

使用灰化工艺去除无定形碳层形成空腔。