[发明专利]一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310541130.1 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103572209A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 顾正彬;张善涛;卢明辉;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 亚稳态 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射技术，其特征在于，包括以下步骤：
（1）采用纯度较高的金属钒靶，准备氩气和氧气气体；磁控溅射仪至少包括样品准备腔和生长腔这两个真空腔室，生长腔室抽真空至4.5×10-4Pa以下；
（2）靶材预溅射：只通入Ar气体，设定溅射功率，清洗金属钒靶表面的氧化部分和一些污染物杂质；
（3）衬底升温到要求温度，并保温10分钟左右，以达到平衡状态；
（4）通入氩气和氧气气体，其比率为10：1，调节真空室压强在1Pa，启动射频溅射工作源，溅射功率为40W，开始溅射；
（5）薄膜生长速率为200nm/h,生长至要求厚度后，关闭加热电源，使样品自然冷却，在此过程，打开真空阀，分子泵保持打开状态。
2.根据权利要求1所述的一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属钒靶的尺寸为2英寸，衬底为单晶材料。
3.根据权利要求1或2所述的一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的金属钒靶、氩气和氧气的纯度均大于等于99.9%。
4.根据权利要求1或2所述的一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的溅射功率为40到60W。
5.根据权利要求1或2所述的一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的衬底温度低于500℃。
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