[发明专利]一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法，其特征为：将基板、纯银或银合金靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10^-3torr，基板不加热，接着先以DC电源溅镀第一层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，然后以DC电源溅镀第二层5-15nm厚的纯银或银合金薄膜，最后以DC电源溅镀第三层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，即形成所需的基板/ITZO/银或银合金/ITZO多层膜结构，即得。

2.如权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法，其特征为：其中基板为玻璃基板或PET基板。

3.如权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法，其特征为：其中银合金靶材为银钛靶材或银钛铜靶材。

4.如权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法，其特征为：其中自制氧化铟锡锌靶材制造首先使用氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化锌粉末混合，再加上氧化锆球、纯水及分散剂混合，研磨20小时，然后灌入模具中，待20小时干燥后经过1400-1550℃烧结6小时后研磨加工成所需的靶材；其中氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化锌粉末的重量比为93-98：2-7：3-35，去离子水重量为粉末总重量的20-30%，氧化锆球重量为粉末总重量的66-70%，分散剂为聚羧酸盐类分散剂，重量为粉末总重量的0.4-0.6%。

5.如权利要求3所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法，其特征为：其中纯银靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银材料，然后浇注在铸铁模具中在加工成靶材备用。

6.如权利要求3所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法，其特征为：其中银钛靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银及纯钛颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成银钛靶材备用，纯银和纯钛的重量比为99-100:0.1-1。