[发明专利]晶圆加热装置在审
申请号: | 201310539096.4 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN104617008A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 梁晓东 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 何丽英 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
1.一种晶圆加热装置,其特征在于:包括加热装置框架、温控表(6)、红外线测温装置(1)、CPU(2)、加热部、升降驱动部及支撑杆(9),其中温控表(6)和升降驱动部设置于加热装置框架的底部,所述加热部与升降驱动部连接,所述支撑杆(9)穿过加热部、并固定于加热装置框架上,所述加热部内设有与温控表(6)连接的加热丝(16);所述加热部通过升降驱动部的驱动上升、并与加热装置框架的顶部接触形成容置晶圆(W)的密封腔室;所述红外线测温装置(1)和CPU(2)设置于加热装置框架的顶部,所述红外线测温装置(1)和温控表(6)均与CPU(2)连接,所述红外线测温装置(1)测得密封腔室内晶圆(W)的不同区域温度后把数据传送给CPU(2),经CPU(2)判断后发送信号给温控表(6),温控表(6)会控制加热源不同区域的升降温。
2.按权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述加热部包括上热板(4)和下热板(3),其中下热板(3)的上表面设有螺旋线状凹槽,且由中心向边缘分为多个分区,每个分区内均埋入加热丝(16),各加热丝(16)通过设置于下热板(3)上的加热丝孔(19)与温控表(6)连接,其中两个分区之间设有多个支撑杆孔(18),所述上热板(4)的上表面边缘设有用于容置密封圈(17)的凹槽。
3.按权利要求2所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述分区包括第一分区(21)、第二分区(22)及第三分区(23)。
4.按权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述加热装置框架包括底板(11)、隔热板(12)、上板(13)、侧板(14)及后挡板(15),其中底板(11)、隔热板(12)及上板(13)由下至上依次设置、并两侧通过侧板(14)连接,所述隔热板(12)和上板(13)的后侧设有后挡板(15);所述温控表(6)和升降驱动部设置于底板(11)上,所述红外线测温装置(1)和CPU(2)设置于上板(13)上,所述支撑杆(9)底端固定于隔热板(12)上,所述加热部设置于隔热板(12)和上板(13)之间。
5.按权利要求4所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述上板(13)的下方设有盘盖(10),所述盘盖(10)的下表面设有凹槽,所述加热部上升与盘盖(10)接触,所述加热部的上表面与盘盖(10)下表面的凹槽形成所述容置晶圆(W)的密封腔室。
6.按权利要求5所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述上板(13)和盘盖(10)上设有多个红外线照射孔(20),所述红外线测温装置(1)发射的红外线光通过红外线照射孔(20)后照射到晶圆(W)的上表面。
7.按权利要求6所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述多个红外线照射孔(20)均匀分布在从晶圆(W)中心到边缘的直线上。
8.按权利要求4所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述支撑杆(9)为三个,所述三个支撑杆(9)均布在同一个圆周上,并上端端部位于同一个水平面上。
9.按权利要求4所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述升降驱动部包括气缸(5)和支撑杆(8),其中气缸(5)固定于所述底板(11)上,所述气缸(5)的输出端与支撑杆(8)的一端连接,所述支撑杆(8)的另一端穿过隔热板(12)上设有的孔与加热部连接。
10.按权利要求9所述的晶圆加热装置,其特征在于:所述支撑杆(8)包括圆形板和细杆,其中细杆的一端与气缸(5)的输出端连接,另一端穿过隔热板(12)上的孔后与圆形板连接,所述圆形板与加热部连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造