[发明专利]硅片CMP工艺制剂在审
| 申请号： | 201310538602.8 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103614081A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 夏泽军 | 申请（专利权）人： | 昆山宏凌电子有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人： | 李涛 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 cmp 工艺 制剂 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片CMP工艺制剂，其特征在于，含有：颗粒为50~80nm的氧化铈，其密度为1.25kg/m3，pH值为10~12，固体含量33~35%，Cu<20 ppm，Mn<2.3 ppm，以及5~10%的活性剂。
2.如权利要求1所述的硅片CMP工艺制剂，其特征在于：所述制剂的pH值为11~11.5。
3.如权利要求1或2所述的硅片CMP工艺制剂，其特征在于：所述制剂通过NaOH、KOH或NH4OH调整控制。
4.如权利要求1所述的硅片CMP工艺制剂，其特征在于：所述制剂含有氧化剂。
5.如权利要求4所述的硅片CMP工艺制剂，其特征在于：所述氧化剂为NH4OH或有机碱。
6.如权利要求1所述的硅片CMP工艺制剂，其特征在于：还具有抗蚀剂苯三唑，且浓度为2-4mg/L。
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