[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201310537776.2 | 申请日: | 2010-02-03 |
公开(公告)号: | CN103531604A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 丸山康;渡边一史 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
形成有多个受光部的衬底,所述衬底的背面侧作为光照射面;
形成在所述衬底的表面侧的布线层;以及
遮光部,所述遮光部由沟槽部和被掩埋在所述沟槽部内的遮光膜构成,所述沟槽部形成在相邻的受光部之间,并从所述衬底的背面侧形成至期望的深度处,
所述相邻的受光部之间形成有用于将相邻的受光部之间电气分离的元件分离区域,所述元件分离区域由预定的杂质区域构成,
所述遮光部形成在所述元件分离区域内。
2.如权利要求1所述的固态成像装置,其中,
所述遮光部贯穿所述衬底而被形成。
3.如权利要求1所述的固态成像装置,其中,
在所述沟槽部和被掩埋在沟槽部内的遮光膜之间,形成有高介电常数材料膜。
4.如权利要求1所述的固态成像装置,其中,
所述遮光膜由铝或钨构成。
5.如权利要求1所述的固态成像装置,其中,
所述高介电常数材料膜由氧化铪、五氧化二钽或二氧化锆构成。
6.一种固态成像装置的制造方法,包括以下步骤:
在衬底的表面区域形成多个受光部以及期望的杂质区域;
在所述衬底的表面侧形成布线层,所述布线层由经由层间绝缘膜而形成的多层布线构成;
形成从所述衬底的背面侧到达至期望深度的沟槽部;
在形成于所述衬底中的沟槽部形成掩埋膜;以及
在去除所述掩埋膜之后向所述沟槽部中掩埋遮光膜,
所述沟槽部形成为用于将相邻的受光部之间电气分离的元件分离区域,所述元件分离区域由预定的杂质区域构成,
7.如权利要求6所述的固态成像装置的制造方法,其中,
所述沟槽部贯穿所述衬底而被形成。
8.如权利要求6所述的固态成像装置的制造方法,其中,
在所述沟槽部和被掩埋在沟槽部内的遮光膜之间,形成有高介电常数材料膜。
9.如权利要求6所述的固态成像装置的制造方法,其中,
所述遮光膜由铝或钨构成。
10.如权利要求6所述的固态成像装置的制造方法,其中,
所述高介电常数材料膜由氧化铪、五氧化二钽或二氧化锆构成。
11.一种电子设备,包括:
光学透镜;
固态成像装置,所述固态成像装置包括:形成有多个受光部的衬底,所述衬底的背面侧作为光照射面;形成在所述衬底的表面侧的布线层;以及遮光部,所述遮光部由沟槽部和被掩埋在所述沟槽部内的遮光膜构成,所述沟槽部形成在相邻的受光部之间,并从所述衬底的背面侧形成至期望的深度处,所述相邻的受光部之间形成有用于将相邻的受光部之间电气分离的元件分离区域,所述元件分离区域由预定的杂质区域构成,所述遮光部形成在所述元件分离区域,所述光学透镜所收集的光被入射到该固态成像装置,以及
信号处理电路,其处理从所述固态成像装置输出的的输出信号。
12.如权利要求11所述的电子设备,其中,
所述遮光部贯穿所述衬底而被形成。
13.如权利要求11所述的电子设备,其中,
在所述沟槽部和被掩埋在沟槽部内的遮光膜之间,形成有高介电常数材料膜。
14.如权利要求11所述的电子设备,其中,
所述遮光膜由铝或钨构成。
15.如权利要求11所述的电子设备,其中,
所述高介电常数材料膜由氧化铪、五氧化二钽或二氧化锆构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的