[发明专利]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端及其制备方法

权利要求书

1.一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端，其特征是发射通道采用一个PIN二极管，接收支路采用两个PIN二极管及一个芯片电容作为开关元件构成串联开关电路；在接收支路后级连两个砷化镓低噪放芯片，构成整个接收通道；其中砷化镓开关芯片用于旁路第二级低噪放；其特征在于：在QFN6×6-40L标准封装内制作集开关、驱动和低噪放一体化的接收前端，氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片分别粘接在QFN6×6-40L标准封装引线框中心金属衬底上；在氮化铝基板上分别粘接三个PIN二极管芯片、一个芯片电容构成收发开关切换电路，开关切换电路的驱动由集成硅驱动芯片实现；将PIN二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片之间用金丝键合连接， PIN二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片与QFN6×6-40L标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接。

2.如权利要求1的一种基于权利要求1所述的开关、驱动以及低噪放一体化接收前端的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1）在QFN6×6-40L标准封装引线框中心金属衬底上用银浆粘接氮化铝AlN基板、砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片；

2）在氮化铝AlN基板上用银浆粘接功率开关的三个PIN二极管芯片以及电容芯片；

3）PIN二极管芯片、芯片电容与氮化铝AlN基板之间，PIN二极管芯片与QFN6×6-40L标准封装引线框管脚之间，氮化铝AlN基板与QFN6×6-40L标准封装引线框管脚，砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片与QFN6×6-40L标准封装引线框管脚之间均通过键合金丝连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于权利要求1所述的开关、驱动以及低噪放一体化接收前端的制备方法，其特征在于，所述的选用有中心金属衬底的QFN6×6-40L标准封装引线框，在QFN6×6-40L标准封装引线框中心金属衬底上用高导热银浆粘接氮化铝AlN基板，提高电路的散热能力，减小热阻。

4.根据权利要求2所述的一种基于权利要求1所述的开关、驱动以及低噪放一体化接收前端的制备方法，其特征在于，所述的在AlN基板上用高导热银浆粘接大功率开关的PIN二极管芯片和芯片电容，PIN二极管芯片与氮化铝AlN基板之间通过金丝键合连接，芯片电容与氮化铝AlN基板之间通过金丝键合连接。

5.根据权利要求2所述的一种基于权利要求1所述的开关、驱动以及低噪放一体化接收前端的制备方法，其特征在于，所述的在QFN6×6-40L标准封装引线框中心金属衬底上用银浆粘接集成砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片，集成砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片与QFN6×6-40L标准封装引线框对应位置之间通过金丝键合连接。