[发明专利]芯片边缘密封

权利要求书

1.半导体器件(2、3、5、6)，包括：

-半导体体身(10、13、15、16)，

-半导体体身处的绝缘(40)，

-至少部分在半导体体身中的单元场(20)，所述单元场包括至少一个p-n结和至少一个触点接通；

其中绝缘(40)的单元区域(402、422、442)在半导体体身的横向上由环绕的扩散壁垒(70、700、701、702、707、708)限制。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中环绕的扩散壁垒(70、700、701、702、707、708)封闭地包围单元场(20)。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中环绕的扩散壁垒(70、700、701、702、707、708)设置在半导体器件的侧边缘(60)和单元场(20)之间。

4.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中环绕的扩散壁垒(70、700、701、702、707、708)包括氮化硅。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中扩散壁垒(70、700、701、702)包括酰亚氨。

6.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中扩散壁垒在半导体器件的侧边缘(60)和单元场(20)之间的区域中与半导体体身接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中扩散壁垒(710、712)在单元场(20)中伸入到半导体体身的表面下面的区域中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中半导体体身在边缘区域(768)中具有凹陷(187)，该凹陷延伸直到侧边缘(60)。

9.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中环绕的扩散壁垒(707、708)在侧边缘(60)之前结束。

10.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中环绕的扩散壁垒(707、708)在所述边缘区域中在水平方向上覆盖半导体体身。

11.根据权利要求1到5之一所述的半导体器件，其中扩散壁垒包括槽(71、710、711、712)，所述槽截断绝缘(40)并且将所述绝缘(40)分成单元区域(402、422、442、462)和边缘区域(406、426、446、466)。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中槽(710、712)伸入到半导体体身(13)中。

13.根据权利要求11或12所述的半导体器件，其中槽(71、710、711、712)包括至少一个由氮化硅组成的槽边缘(75、750、751、752)。

14.根据权利要求11到13之一所述的半导体器件，其中槽(71、710、711、712)用酰亚氨(74、740、741、741)填充。

15.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中所述绝缘(40)包括二氧化硅。

16.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中环绕的扩散壁垒(70、700、701、702)在半导体体身的竖直方向上覆盖绝缘(40)的单元段(402、422、442)。

17.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中绝缘(40)的单元段(402、422、442)完全由阻挡扩散的元件包围。

18.根据权利要求12所述的半导体器件，其中多个阻挡扩散的元件彼此重叠地设置。

19.场效应控制的半导体器件(2、3、5、6)，包括：

-半导体体身(10、13、15、16)，

-在半导体体身的至少一侧处的绝缘(40、42、44)，

-至少部分在半导体体身中的单元场，所述单元场包括至少一个p-n结和至少一个触点接通，并且其中该单元场包括至少一个栅极电极，所述栅极电极通过绝缘(40)的至少一个栅极段(46)与半导体体身电气绝缘，

其中扩散壁垒(70、700、701、702)在绝缘(40)的栅极段(46)和场效应控制的半导体器件(2、3、5、6)的侧边缘(60)之间在半导体体身的横向上将所述绝缘(40)分开。