[发明专利]一种柔性阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201310536036.7 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN104576525B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 张洪涛;王晶 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张颖玲;徐川 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种柔性阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
形成第一石墨烯层,通过构图工艺形成包括栅极、栅线的第一石墨烯层的图案;
形成第二石墨烯层,通过涂覆光刻胶、曝光和显影露出用于形成有源层的第二石墨烯层的有源区,对所述有源区进行氢化处理,形成由氢化石墨烯构成的有源层;通过构图工艺在所述有源层之外形成包括源极、漏极、数据线的第二石墨烯层的图案,所述有源层与所述源极、所述漏极相连接;其中,所述制备方法还包括:
形成氧化石墨烯层,所述氧化石墨烯层为设置在第一石墨烯层和第二石墨烯层之间的绝缘层;
形成所述第一石墨烯层的图案还包括形成公共电极和公共电极线;
形成所述第二石墨烯层的图案还包括形成像素电极,所述像素电极与所述漏极相连接;
其中,所述栅极、栅线、绝缘层、有源层、源极、漏极、像素电极、公共电极、数据线均采用石墨烯类材料构成,氧化石墨烯层的层厚为
2.如权利要求1所述的柔性阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
形成所述第二石墨烯层的图案还包括形成像素电极,所述像素电极与所述漏极相连接;
形成覆盖所述第二石墨烯层的图案的保护层;
在所述保护层的上方形成第三石墨烯层,通过构图工艺形成包括公共电极、公共电极线的第三石墨烯层的图案。
3.如权利要求1至2中任一项所述的柔性阵列基板的制备方法,其特征在于,
所述形成第一石墨烯层、第二石墨烯层包括:采用化学气相沉积法或旋涂法,形成石墨烯层;
所述形成氧化石墨烯层包括:旋涂或喷涂氧化石墨烯溶液,烘干处理;
所述对所述有源区进行氢化处理包括:利用氢气或氢气和氩气的混合气体对所述有源区进行氢化。
4.一种柔性阵列基板,其特征在于,包括:
包括栅极、栅线的第一石墨烯层的图案;
包括源极、漏极、数据线的第二石墨烯层的图案,以及同层设置的与所述源极、所述漏极相连接的有源层,其中,通过涂覆光刻胶、曝光和显影露出用于形成有源层的第二石墨烯层的有源区,所述有源层通过对所述第二石墨烯层的有源区进行氢化处理得到;其中,
所述阵列基板包括设置在所述第一石墨烯层和第二石墨烯层之间的氧化石墨烯层,所述氧化石墨烯层为绝缘层;
其中,所述第一石墨烯层的图案还包括公共电极和公共电极线;
所述第二石墨烯层的图案还包括像素电极,所述像素电极与所述漏极相连接;
其中,所述栅极、栅线、绝缘层、有源层、源极、漏极、像素电极、公共电极、数据线均采用石墨烯类材料构成,氧化石墨烯层的层厚为
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二石墨烯层的图案还包括像素电极,所述像素电极与所述漏极相连接;
所述第二石墨烯层的上方设置有保护层;
所述保护层的上方设置有第三石墨烯层,第三石墨烯层的图案包括公共电极、公共电极线。
6.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求4至5中任一项所述的阵列基板。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,所述彩膜基板上不设置黑矩阵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造