[发明专利]集成电路的电容

权利要求书

1.一种集成电路的电容，其特征在于，包括：

基底层；

第一电容，配置在该基底层中；以及

第二电容，配置在该第一电容上并至少部份覆盖该第一电容，

其中该第一电容的第一电极耦接至该第二电容的第一电极，且该第一电容的第二电极耦接至该第二电容的第二电极。

2.根据权利要求1的集成电路的电容，其中该第一电容为一晶体管电容，该晶体管电容包括一晶体管，该晶体管具有源极、漏极以与门极，该晶体管的源极以及漏极相互耦接并成为该第一电容的第一电极，该晶体管的闸极则为该第一电容的第二电极。

3.根据权利要求2的集成电路的电容，其中该晶体管包括：

第一井区，形成在该基底层中；

第二井区，形成在该第一井区中；

第一参杂区，形成在该第二井区中；

第二参杂区，形成在该第二井区中；以及

多晶硅层，覆盖在该第一参杂区以及该第二参杂区间的区域中；

其中，该第一参杂区形成该晶体管的源极，该第二参杂区形成该晶体管的漏极，该多晶硅层形成该晶体管的闸极。

4.根据权利要求3的集成电路的电容，其中该基底层为P型基底层，该第一井区为N型井区，该第二井区为P型井区，该第一及该第二参杂区为N型参杂区。

5.根据权利要求1的集成电路的电容，其中该第一电容为一晶体管电容，该晶体管电容包括多数个晶体管，各该晶体管具有源极、漏极以与闸极，该些晶体管的源极以及漏极相互耦接以形成该第一电容的第一电极，该些晶体管的闸极相互耦接以形成该第一电容的第二电极。

6.根据权利要求1的集成电路的电容，其中该第二电容为金属-绝缘层-金属电容。

7.根据权利要求6的集成电路的电容，其中该第二电容包括：

多数个金属层，各该金属层具有多数个金属图案，该些金属图案的多数个第一部份金属图案相互耦接以形成该第二电容的第一电极，该金属图案的多数个第二部份金属图案相互耦接以形成该第二电容的第一电极。

8.根据权利要求7的集成电路的电容，其中该第二电容还包括：

多数个绝缘层，各该绝缘层配置在该些金属层中相邻的二金属层间。

9.根据权利要求7的集成电路的电容，其中各该金属层中的相邻的金属图案彼此相互物理性隔离。

10.根据权利要求1的集成电路的电容，其中该第一电容为接面电容或氧化硅-氮化硅-氧化硅电容。