[发明专利]存储模块、具有其的存储系统及其读写方法

说明书

提供了一种从包括多个存储器的存储模块中进行读的方法。该方法包括：从多个存储器读取对应于多个突发长度单位的数据；使用存储错误纠正码纠正所读取的数据的错误；以及以对应于一个突发长度单位的数据为单位输出经过纠错的数据。

相关申请的交叉引用

要求2012年11月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请：编号10-2012-0122982的优先权，其整个内容据此通过引用并入。

技术领域

这里描述的本发明构思的示例实施例涉及存储模块、具有其的存储系统、以及从中读取和对其写入的方法。

背景技术

一般，为了高性能和大容量，计算机系统可以包括按照存储模块形式的多个存储器芯片（例如，DRAM）。可以通过在印刷电路板上安装多个存储器芯片来实现存储模块。存储模块可以是单个存储模块（以下，称为SIMM）和双存储模块（以下，简称为DIMM）。SIMM可以包括多个安装在印刷电路板的一侧的存储器芯片，而DIMM可以包括多个安装在印刷电路板的两侧的存储器芯片。

发明内容

本发明构思的实施例的一方面专注于提供包括多个存储器的存储模块的读方法，该读方法包括：从多个存储器读取对应于多个突发长度单位的数据；使用存储错误纠正码ECC2纠正所读取的数据的错误；以及以对应于一个突发长度单位的数据为单位输出经过纠错的数据。

在示例实施例中，多个存储器的每个是非易失性存储器。

在示例实施例中，所述输出的数据包括用户数据和用于检测用户数据的错误的读奇偶校验位，并且使用传递错误纠正码ECC1产生该读奇偶校验位。

在示例实施例中，所述读方法还包括：以用户数据为单位划分经过纠错的数据；以及使用传递错误纠正码ECC1产生所划分的数据的读奇偶校验位。

在示例实施例中，所述读方法还包括：将输出的数据传递到控制存储模块的存储器管理单元；以及使用传递错误纠正码ECC1纠正传递到存储器管理单元的数据的错误。

在示例实施例中，读取的数据由对应于多个突发长度单位的用户数据的集合和内部奇偶校验位的集合形成，以及在存储模块中使用存储错误纠正码ECC2产生内部奇偶校验位。

在示例实施例中，所述读方法还包括：确定读取的数据的存储错误是否是可纠正的。

在示例实施例中，所述读方法还包括：如果读取的数据的存储错误是不可纠正的，则按照用户数据的大小划分用户数据的集合；使用传递错误纠正码ECC1产生所划分的数据的读奇偶校验位；以及输出所划分的数据和读奇偶校验位。

在示例实施例中，存储错误纠正码ECC2不同于传递错误纠正码ECC1。

在示例实施例中，所述读方法还包括：在纠正读取的数据的错误之后将与读取的数据的纠错相关联的错误信息传递给存储器管理单元。

本发明构思的实施例的另一方面专注于提供一种存储模块，包括：执行突发操作的存储器；纠错电路，配置来从存储器接收对应于多个突发长度单位的N位数据，使用存储错误纠正码ECC2纠正N位数据的存储错误，将纠正的数据划分为多个，使用传递错误纠正码ECC1产生关于每个划分的数据单位的奇偶校验位，以及顺序输出M位数据，其中M位数据对应于一个突发长度单位，并且M位数据由每个划分的数据和产生的奇偶校验位形成；第一缓冲器，配置来顺序存储来自纠错电路的M位数据；和第二缓冲器，配置来存储N位数据。

在示例实施例中，每个存储器是磁阻存储器。