[发明专利]倒装LED芯片结构及倒装LED芯片封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，特别是涉及一种倒装LED芯片结构及倒装LED芯片封装结构。

背景技术

LED（Light Emitting Diode，发光二极管）芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。

目前LED多芯片大多采用单芯片金线键合封装。该方法是在外延片上制作出多个LED芯片，然后将制作好的外延片进行切割，分割成单个的小LED芯片，再利用固晶胶将单个的小LED芯片固定于基板上，然后通过正装LED金线键合将每个LED芯片进行电连接，最后在每个小LED芯片的上表面涂覆硅胶，防止外部的水分和空气对LED芯片进行破坏。

首先，在LED多芯片的制作工艺中，切割外延片上的LED芯片时，会对LED芯片造成机械损伤，进而影响LED芯片的可靠性。其次，采用正装LED金线键合方式将多个LED芯片进行电连接时，工艺复杂，且金线比较细强度较低，受到外力时很容易损伤。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种可以有效避免机械损伤、金属条强度高的倒装LED芯片结构及倒装LED芯片封装结构。

一种倒装LED芯片结构，包括：

外延片；

多个LED芯片，间隔分布于所述外延片表面，每一所述LED芯片包括：

P极电极层；及

N极电极层，与所述P极电极层相互间隔设置以相互绝缘；

金属条，每一所述P极电极层与相邻所述LED芯片的N极电极层通过所述金属条电连接，每一所述N极电极层与相邻所述LED芯片的N极电极层通过所述金属条并联；

绝缘层，填充于多个所述LED芯片之间的间隔处及所述P极电极层与N极电极层之间的间隔处，所述金属条嵌设于所述绝缘层上；

其中，位于所述外延片相对两侧最边缘的所述P极电极层与N极电极层外露于所述绝缘层。

在其中一个实施例中，所述金属条为由金质材料形成。

在其中一个实施例中，位于所述外延片中部的多个所述LED芯片远离所述外延片的一表面、靠近最边缘所述P极电极层的所述N极电极层远离所述外延片的一表面及靠近最边缘所述N极电极层的所述P极电极层远离所述外延片的一表面均覆设有绝缘片。

在其中一个实施例中，所述绝缘层及所述绝缘片均由二氧化硅形成。

一种倒装LED芯片封装结构，包括：

基板；

衬底，贴附于所述基板的一表面上，所述衬底上还开设有第一凹槽及与所述第一凹槽平行且间隔设置的第二凹槽；

如以上所述的倒装LED芯片结构，所述第一凹槽及第二凹槽分别与位于所述外延片最边缘的P极电极层与N极电极层之间的间隔处的绝缘层一一对应，远离所述第二凹槽的一侧的衬底与位于所述外延片边缘的所述P极电极层电连接，远离所述第一凹槽的一侧的衬底与位于所述外延片边缘的所述N极电极层电连接，所述外延片的中部的多个所述LED芯片、靠近最边缘所述P极电极层的所述N极电极层及靠近最边缘所述N极电极层的所述P极电极层均与所述衬底间相互绝缘；及

封装壳体，覆设于所述外延片背向所述多个LED芯片的一表面及衬底背向所述基板的表面，所述外延片及LED芯片密封封装于所述封装壳体内，所述衬底的边缘部分外露于所述封装壳体。

在其中一个实施例中，所述衬底与所述倒装LED芯片结构之间还设置有导电胶层，所述导电胶层上开设有与所述第一凹槽及第二凹槽正对的两个通槽，所述绝缘片贴附于两个所述通槽之间的导电胶层表面上。

在其中一个实施例中，所述第一凹槽远离所述第二凹槽的一侧的衬底尺寸与外露于所述绝缘层的所述P极电极层尺寸大小相等，所述第二凹槽远离所述第一凹槽的一侧的衬底尺寸与外露于所述绝缘层的所述N极电极层尺寸大小相等。

在其中一个实施例中，所述衬底上与所述第一凹槽平行的相对两侧边缘形成有连接部，所述连接部沿所述第一凹槽长度方向的长度大于衬底中间部分沿所述第一凹槽长度方向的长度。

在其中一个实施例中，所述衬底为铜质衬底，所述基板为铜质基板。

在其中一个实施例中，所述封装壳体为硅胶材质形成。

上述倒装LED芯片结构及倒装LED芯片封装结构至少包括以下优点：