[发明专利]一种死区补偿控制方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子技术领域，尤其涉及一种死区补偿控制方法及系统。

背景技术

变频控制器硬件电路中三相U、V、W中的每相均包括两个上下互补的桥臂（即IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，中文全称：绝缘栅双极型晶体管）。每个桥臂是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，上下两个桥臂严格轮流导通和关断。

但实际情况是，每个器件的通、断都需要一定的时间，尤其是关断时间比导通时间更长。在关断过程中，如果截止的器件立即导通，必然引起桥臂短路。为了防止这种情况发生，必须在驱动信号中引入一段死区时间Td。上下两只桥臂不能同时导通，需要在其中实时的插入死区，确保上下两只桥臂不会造成短路，保证桥臂的安全。

死区时间的引入使得主电路不能精确再现由调制波发生器所产生的理想调制波波形，影响输出的电压和电流，使得低速轻载时的电压及电流发生严重畸变，引起转矩脉动和谐波。

目前的死区补偿方法，或者通过硬件电路来实现，或者通过复杂的模型配合复杂的软件来实现，补偿不准确，造成一定的“死区效应”，引起压缩机相电流畸变，导致对电源和其他电器的电源污染，一定程度降低了压缩机的功率因素和系统的性能，特别是引起低频轴误差估计不准等问题。

发明内容

本申请提供一种死区补偿控制方法及系统，解决了现有技术中，因死区补偿不准确，导致引起压缩机相电流畸变，导致对电源和其他电器的电源污染的技术问题，达到提高死区补偿的准确性，减小了电流的畸变，减小了对电源和其他电器的电源污染的技术效果。

本申请提供一种死区补偿控制方法，所述死区补偿控制方法包括：

根据当前电压指令、载波周期和当前直流母线电压，获得调制波的第一占空比值；

对所述第一占空比值进行补偿值的补偿，获得第二占空比值，所述补偿值的大小由当前电流指令决定，所述当前电流指令与所述当前电压指令对应；

接收所述第二占空比值，根据所述第二占空比值控制桥臂的开合。

优选地，所述根据当前电压指令、载波周期和当前直流母线电压，获得调制波的第一占空比值，具体为：

根据所述当前电压指令、所述载波周期和所述当前直流母线电压，获得三相调制波在载波周期的第一占空比T_u、T_v和T_w。

优选地，当前电流指令为矢量在三相U、V、W的坐标轴的投影分别为I_u^*、I_v^*、I_w^*时，所述补偿值的大小由当前电流指令决定，具体为：

所述三相调制波对应的补偿值ΔT_u、ΔT_v和ΔT_w的大小分别与I_u^*、I_v^*、I_w^*的正负和调制波的死区时间T_d大小相关。

优选地，所述三相调制波对应的补偿值ΔT_u、ΔT_v和ΔT_w的大小分别与I_u^*、I_v^*、I_w^*的正负相关，具体为：