[发明专利]一种相变存储器的写操作方法及设备

说明书

技术领域

本发明涉及计算机领域，特别涉及一种相变存储器的写操作方法及设备。

背景技术

相变存储器是一种新型的半导体存储器，具有集成度高、功耗低、速度快、耐磨损和非易失等特点，相变存储器将成为flash之后的下一代存储器件。因此，相变存储器的写操作方法受到了广泛地关注。

目前，提供了一种相变存储器的写操作方法，具体为：将待写入的数据存储到相变存储器包括的锁存器中；根据待写入的数据对应的地址，从该相变存储器中读取对应的数据，将读取的数据和待写入的数据进行比较；如果两者不同，则根据待写入的数据对应的地址，将该锁存器中存储的待写入的数据写入该相变存储器中；如果两者相同，则不需要向该相变存储器中写入待写入的数据。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

向该相变存储器中写入待写入的数据之前需要从该相变存储器中读取对应的数据以及将待写入的数据和读取的数据进行比较，当待写入的数据与读取的数据不同时，才向该相变存储器中写入待写入的数据。由于读取数据和比较数据的操作较复杂，花费的时间较长，从而导致向该相变存储器写数据的延迟时间较长，降低了写操作的效率。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种相变存储器的写操作方法及设备。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种相变存储器的写操作方法，所述方法包括：

当相变存储器执行写操作时，根据待写入的数据产生对应的电压脉冲信号，并将所述电压脉冲信号作用于所述待写入的数据对应的相变存储单元包括的相变材料以及与所述相变材料串联的分压电阻上；

将取样电阻两端的电压值与门限电压比较后产生一个指示值，所述指示值与所述相变存储单元存储的数据相对应，所述取样电阻为分压电阻或者所述相变材料；

根据所述指示值判断所述指示值对应的相变存储单元存储的数据与所述待写入的数据是否相同；

如果相同，则不将所述待写入数据写入与所述待写入数据对应的相变存储单元，如果不相同，则将所述待写入数据写入与所述待写入数据对应的相变存储单元。

结合第一方面，在上述第一方面的第一种可能的实现方式中，所述根据待写入的数据产生对应的电压脉冲信号，并将所述电压脉冲信号作用于所述待写入的数据对应的相变存储单元包括的相变材料以及与所述相变材料串联的分压电阻上，包括：

将待写入的数据写入所述相变存储器包括的锁存器中；

根据所述待写入的数据的行地址和列地址，选通所述待写入的数据对应的相变存储单元；

根据所述锁存器中存储的待写入的数据产生对应的电压脉冲信号；

产生有效的使能信号，以将所述电压脉冲信号作用于选通的相变存储单元包括的相变材料以及与所述相变材料串联的分压电阻上。

结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在上述第一方面的第二种可能的实现方式中，当读写电路的输出端与分压电阻的一端连接，所述分压电阻的另一端与所述相变材料的一端连接，所述相变材料的另一端通过所述相变存储单元包括的开关管与地连接时，

所述将取样电阻两端的电压值与门限电压比较后产生一个指示值，包括：

将所述相变材料两端的电压值与门限电压比较后产生一个指示值。

结合第一方面的第二种可能的实现方式，在上述第一方面的第三种可能的实现方式中，所述门限电压为所述相变存储单元存储的数据为0或1时所述相变材料分别呈现的两个电压之间的分界电压，当所述相变存储单元存储的数据为0时，所述指示值为第一值，当所述相变存储器存储的数据为1时，所述指示值为第二值，

所述根据所述指示值判断所述指示值对应的相变存储单元存储的数据与所述待写入的数据是否相同，包括：

根据所述指示值为所述第一值或者所述第二值来判断所述指示值对应的相变存储单元存储的数据与所述待写入的数据是否相同。

结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在上述第一方面的第四种可能的实现方式中，当读写电路的输出端与所述相变材料的一端连接，所述相变材料的另一端通过所述相变存储单元包括的开关管与分压电阻的一端连接，所述分压电阻的另一端与地连接时，

所述将取样电阻两端的电压值与门限电压比较后产生一个指示值，包括：

将所述分压电阻两端的电压值与门限电压比较后产生一个指示值。