[发明专利]单面抛光机

说明书

技术领域

本发明涉及抛光机，特别涉及一种单面抛光机。

背景技术

半导体晶片（如硅片、砷化镓、锗片、蓝宝石、磷化铟等）抛光时，单片抛光机抛光盘的平坦度控制是影响到晶片抛光精度的关键技术。目前的单面抛光机，由于抛光盘与研磨上盘在工作时不同半径线速度不一样，仅靠单一平面来加压，造成内外的厚度不一致，影响晶片质量。

发明内容

本发明提供一种单面抛光机，以克服现有技术中单面抛光机抛光晶片时厚度不一致的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种单面抛光机，包括：机壳，设置在所述机壳内的抛盘、研磨压盘、气缸和旋转电机，所述研磨压盘设置在所述抛盘上方，所述气缸和旋转电机分别控制所述研磨压盘上下动作和旋转，并且所述研磨压盘的内部设置有中心气缸。

作为优选，所述抛盘周围设置有多个回转气缸。

作为优选，所述研磨压盘还包括：瓷盘、顶板、顶盘以及外环，其中，所述顶盘设置于所述外环的顶部并与所述气缸固接，中心气缸设置于所述外环中心并与顶板接触，所述瓷盘固定于外环底部。

作为优选，所述顶盘中设有与所述中心气缸对应的进气口。

作为优选，所述研磨压盘设置有两组。

作为优选，所述机壳上还设置有控制面板。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明采用中心气缸加压的方式使研磨压盘的底部产生一定量的变形量，从而提高晶片厚度的一致性。

附图说明

图1为本发明一具体实施方式中单面抛光机的主视图；

图2为本发明一具体实施方式中单面抛光机的研磨压盘的结构示意图；

图3为本发明一具体实施方式中单面抛光机的后视图。

图中：10-机壳，20-抛盘、30-研磨压盘、301-中心气缸、302-顶盘、303-顶板、304-瓷盘、305-外环、306-进气口、40-气缸、50-回转气缸、60-控制面板。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。需说明的是，本发明附图均采用简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参照图1～3，本发明的单面抛光机，包括：机壳10，设置在所述机壳10内的抛盘20、研磨压盘30、气缸40和旋转电机，所述研磨压盘30设置在所述抛盘20上方，所述气缸40和旋转电机分别控制所述研磨压盘30上下动作和旋转，并且所述研磨压盘30的内部设置有中心气缸301。具体地，所述旋转电机用于控制所述研磨压盘30旋转，所述气缸40控制所述研磨压盘30上升或下降，而中心气缸301在所述研磨压盘30压住晶片时工作，使研磨压盘30底部产生变形量，进而使晶片的中心与周围的研磨厚度一致。因此，本发明采用中心气缸301加压的方式使研磨压盘30的底部产生一定量的变形量，从而提高晶片厚度的一致性。

请继续参照图1～3，作为优选，所述抛盘20周围设置有多个回转气缸50，用于控制所述抛盘20旋转，进一步的，所述研磨压盘30设置有两组，可以对多个晶片进行同时抛光，提高生产效率。

请重点参照图2，所述研磨压盘30还包括：瓷盘304、顶板303、顶盘302以及外环305，其中，所述顶盘302设置于所述外环305的顶部并与所述气缸40固接，中心气缸301设置于所述外环305中心并与顶板303接触，所述瓷盘304固定于外环305底部。进一步的，所述顶盘302中设有与所述中心气缸301对应的进气口306。如图2中虚线所示，当研磨压盘30工作时，气缸40带动研磨压盘30向下动作，中心气缸301动作，通过顶板303对磁盘304动作，使磁盘304产生一定的变形量（如图2中的虚线所示），确保抛盘20和研磨压盘30旋转时，晶片中心与四周的抛光量，从而提高晶片厚度的一致性。

请参照图3，所述机壳10上还设置有控制面板60，用于调节所述单面抛光机中的各种参数，并可以通过控制面板60监控所述单面抛光机动作。

综上所述，本发明的单面抛光机，包括：机壳10，设置在所述机壳10内的抛盘20、研磨压盘30、气缸40和旋转电机，所述研磨压盘30设置在所述抛盘20上方，所述气缸40和旋转电机分别控制所述研磨压盘30上下动作和旋转，并且所述研磨压盘30的内部设置有中心气缸301。本发明采用中心气缸301加压的方式使研磨压盘30的底部产生一定量的变形量，从而提高晶片厚度的一致性。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。