[发明专利]一种降低氮氧化硅薄膜表面电荷的方法

权利要求书

1.一种降低氮氧化硅表面电荷的方法，其特征在于，主要包含步骤如下： 

步骤1，在做好前程结构的硅基体表面采用等离子化学气相沉积法生长氮氧化硅薄膜； 

步骤2，在氮氧化硅薄膜的表面，在特定的工艺环境下，运用笑气的等离子工艺处理，以降低氮氧化硅薄膜的表面电荷； 

步骤3，抽腔体到本底真空，传出硅片。 

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述生长氮氧化硅薄膜包含工艺参数稳定步骤和等离子化学气相沉积步骤两个步骤。 

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述工艺参数稳定步骤，主要是指氮氧化硅沉积之前的腔体压力，硅片温度，极板间距，气体流量的工艺参数稳定到氮氧化硅沉积时的工艺环境，所述腔体压力为3～8托，所述硅片温度为300～450摄氏度，所述极板间距为300～500密尔，所述气体流量为3100～4500毫升每分钟。 

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子化学气相沉积步骤的工艺条件为：反应气体为硅烷和笑气，硅烷的流量范围为30～200毫升每分钟，笑气的流量范围为100～300毫升每分钟；腔体压力为3～8托，射频功率为50～200瓦特，温度范围为300～450摄氏度。 

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子化学气相沉积步骤中，采用惰性气体用来控制氮氧化硅薄膜的沉积速率，所述惰性气体为氩气或氦气，其流量范围为2000～5000毫升每分钟。 

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述笑气的等离子处理工艺包含腔体条件稳定步骤和等离子处理步骤两个步骤。 

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述腔体条件稳定步骤包含腔体压力，硅片温度，极板间距，气体流量的工艺参数稳定到等离子处理时的工艺环境，所述腔体压力为3～5托，硅片温度范围为300～450摄氏度，极板间距为300～500密尔，气体流量为1000～2500毫升每分钟；该步骤的工艺时间为3～15秒。 

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述等离子处理步骤的气体为笑气，流量范围为1000～2500毫升每分钟；等离子处理工艺的腔体压力为3～5托，射频功率为100～200瓦特，处理时间为5～30秒，温度范围为300～450摄氏度。