[发明专利]有机半导体材料及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种有机半导体材料，其包括如式(1)所示之化学式：

式(1)，

其中r及s分别独立地为1至20的正整数，n为2至10000的正整数，X₁、X₂及X₃分别独立地表示O、S、Se、Te、NR、RCR、RSiR、RGeR或RSnR，Y₁及Y₂分别独立地表示H、F、Cl、CF₃、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，以及Z₁、Z₂、Z₃及Z₄分别独立地表示H、F、Cl、CF₃、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，其中R表示烷基。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中r为1且s为1。

3.根据权利要求1所述的有机半导体材料，包括下式(2)之化合物：

式(2)，

其中n为2至10000的正整数。

4.一种薄膜晶体管，包括：

一闸极、一汲极以及一源极；以及

一有机半导体层，位于该闸极以及该源极与该汲极之间，其中该有机半导体层包括如式(1)所示之有机半导体材料：

式(1)，

其中r及s分别独立地为1至20的正整数，n为2至10000的正整数，X₁、X₂及X₃分别独立地表示O、S、Se、Te、NR、RCR、RSiR、RGeR或RSnR，Y₁及Y₂分别独立地表示H、F、Cl、CF₃、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，以及Z₁、Z₂、Z₃及Z₄分别独立地表示H、F、Cl、CF₃、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，其中R表示烷基。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中r为1且s为1。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中该有机半导体材料包括下式(2)之化合物：

式(2)，

其中n为2至10000的正整数。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，更包括一介电层，位于该闸极以及该有机半导体层之间。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，更包括一自组装单分子层，位于该有机半导体层以及该介电层之间。