[发明专利]成像元件及其制造方法

权利要求书

1.一种固态图像传感器，包括：

基板，其中设有光电转换元件，该光电转换元件将入射光量转换成电荷量；

存储单元，设置在该光电转换元件的一侧，该存储单元接收来自该光电转换元件的该电荷量；

第一光屏蔽部，形成在该存储单元的第一侧且设置在该存储单元和该光电转换元件之间；以及

第二光屏蔽部，形成在该存储单元的第二侧，使该第二侧与该第一侧相对，

其中，所述的固态图像传感器还包括：

第三光屏蔽部，形成在该基板的后表面，其中该第三光屏蔽部形成为实质上等于该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：

转移栅极，至少部分地设置在该光电转换元件中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元，其中配线层通过该第一光屏蔽部将该转移栅极连接到该存储单元。

3.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：

转移栅极，至少部分地设置在该第一光屏蔽部的开口中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元。

4.根据权利要求3所述的固态图像传感器，其中该电荷从该转移栅极转移到该基板上的该存储单元。

5.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：

浮置栅极、浮置扩散区域和复位栅极，其中该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。

6.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中该第一光屏蔽部的一部分和该第二光屏蔽部的一部分中的至少之一形成为从上基板表面向下延伸且在深度方向上实质上穿透该基板的中间。

7.根据权利要求6所述的固态图像传感器，还包括：

第三光屏蔽部，交替地设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。

8.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中由该光电转换元件接收的光入射在该基板的后表面。

9.一种电子设备，包括：

光学单元；以及

固态成像装置，包括设置成二维矩阵的单位像素，其中每个单位像素包括：

基板，其中设有光电转换元件，该光电转换元件将入射光量转换成电荷；

存储单元，设置在该光电转换元件的一侧，该存储单元接收来自该光电转换元件的电荷；

第一光屏蔽部，形成在该存储单元的第一侧且设置在该存储单元和该光电转换元件之间；以及

第二光屏蔽部，形成在该存储单元的第二侧，其中该第二侧与该第一侧相对，

所述电子设备还包括：

第三光屏蔽部，形成在该单位像素的后表面，其中该第三光屏蔽部形成为实质上等于该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间的间隙。

10.根据权利要求9所述的电子设备，还包括：

转移栅极，至少部分地设置在该光电转换元件中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元，其中配线层通过该第一光屏蔽部连接该转移栅极到该存储单元。

11.根据权利要求9所述的电子设备，还包括：

转移栅极，至少部分地设置在该第一光屏蔽部的开口中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中该电荷从该转移栅极转移到该基板上的存储单元。

13.根据权利要求9所述的电子设备，还包括：

浮置栅极、浮置扩散区域和复位栅极，其中该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。

14.根据权利要求9所述的电子设备，其中该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部的至少一部分形成为从上基板表面向下延伸且在深度方向上实质上穿过该基板的中间。

15.根据权利要求14所述的电子设备，还包括：

第三光屏蔽部，交替地设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。

16.根据权利要求9所述的电子设备，其中由该光电转换元件接收的光入射在该基板的后表面，并且该固态成像装置是全局快门类型。