[发明专利]一种增强隔离度电路

权利要求书

1.一种增强隔离度电路，用于增强Tx链路和Rx链路切换区间的隔离度，所述Tx链路和所述Rx链路的工作与否分别受控于Tx控制信号和Rx控制信号，所述Tx/Rx控制信号关闭后等待一保护时间再开启所述Rx/Tx控制信号，所述增强隔离度电路包括一供电电路，所述供电电路受控于所述Tx/Rx控制信号，在所述Tx/Rx控制信号使能时，对所述Tx/Rx链路供电，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，对所述Tx/Rx链路断电，其特征在于，还包括：

一放电电路，所述放电电路与所述供电电路的该电压输出端相连，所述放电电路的工作与否受控于所述Tx/Rx控制信号；以及

一反相电路，所述反相电路连接在所述Tx/Rx控制信号和所述放电电路之间，用于将所述Tx/Rx控制信号作反相处理后再控制所述放电电路，从而在所述Tx/Rx控制信号使能时，所述放电电路不工作，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，所述放电电路对所述供电电路的该电压输出端进行放电。

2.如权利要求1所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述放电电路的放电时间小于所述保护时间。

3.如权利要求2所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述放电电路包括一n-MOS，其源极接地，漏极与所述供电电路的该电压输出端相连，栅极通过所述反相电路与所述Tx/Rx控制信号相连。

4.如权利要求2所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述放电电路包括一npn-BJT，其发射极接地，集电极与所述供电电路的该电压输出端相连，基极通过所述反相电路与所述Tx/Rx控制信号相连。

5.如权利要求3或4所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述反相电路为一反相器。

6.如权利要求1或2所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述放电电路包括第二n-MOS和第二电阻，所述第二n-MOS的源极接地，漏极与所述供电电路的该电压输出端相连，所述第二电阻连接在所述第二n-MOS的栅极和地之间；

所述反相电路包括第三p-MOS，其源极连接电源，栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极连接所述第二n-MOS的所述栅极。

7.如权利要求1或2所述的增强隔离度电路，其特征在于，还包括一延迟电路，其中，所述供电电路包括第一p-MOS和第一电阻，所述第一p-MOS的源极连接电源，漏极为所述供电电路的该电压输出端，所述第一电阻连接在该电源和所述第一p-MOS的栅极之间；

所述延迟电路包括第四n-MOS和第四电阻，所述第四n-MOS的栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极与所述第一p-MOS的该栅极相连，源极与所述Rx/Tx链路的该电压输出端相连，所述第四电阻连接在所述第四n-MOS的源极和地之间。

8.如权利要求5所述的增强隔离度电路，其特征在于，还包括一延迟电路，其中，所述供电电路包括第一p-MOS和第一电阻，所述第一p-MOS的源极连接电源，漏极为所述供电电路的该电压输出端，所述第一电阻连接在该电源和所述第一p-MOS的栅极之间；

所述延迟电路包括第四n-MOS和第四电阻，所述第四n-MOS的栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极与所述第一p-MOS的该栅极相连，源极与所述Rx/Tx链路的该电压输出端相连，所述第四电阻连接在所述第四n-MOS的源极和地之间。

9.如权利要求6所述的增强隔离度电路，其特征在于，还包括一延迟电路，其中，所述供电电路包括第一p-MOS和第一电阻，所述第一p-MOS的源极连接电源，漏极为所述供电电路的该电压输出端，所述第一电阻连接在该电源和所述第一p-MOS的栅极之间；

所述延迟电路包括第四n-MOS和第四电阻，所述第四n-MOS的栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极与所述第一p-MOS的该栅极相连，源极与所述Rx/Tx链路的该电压输出端相连，所述第四电阻连接在所述第四n-MOS的源极和地之间。

10.如权利要求9所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值大于等于10kΩ，小于等于20kΩ，所述第二电阻的阻值大于等于10kΩ，小于等于20kΩ，所述第四电阻的阻值大于等于1kΩ，小于等于3kΩ。