[发明专利]一种汽车整流芯片及其整流基材的制备方法

权利要求书

1.一种汽车整流芯片，包括整流基材，所述整流基材包括第一台面和第二台面，所述第一台面高于所述第二台面，且所述第二台面围绕所述第一台面，其特征在于，所述第一台面为圆形，所述第二台面为圆环形，且自所述第二台面所在的平面至所述整流基材的底面的部分为圆柱形。

2.根据权利要求1所述的汽车整流芯片，其特征在于，所述整流基材的第一台面至第二台面的侧面为弧形，且所述弧形的突出方向朝向所述整流基材中心轴。

3.根据权利要求1所述的汽车整流芯片，其特征在于，所述第二台面的外圆的直径为4mm-8mm，包括端点值。

4.根据权利要求3所述的汽车整流芯片，其特征在于，所述第一台面的中央区域覆盖有第一金属层，所述整流基材的底面覆盖有第二金属层，所述第一金属层与第二金属层均为圆形，且所述第一金属层的面积小于所述第一台面的面积。

5.根据权利要求4所述的汽车整流芯片，其特征在于，所述第二台面的外圆的直径为5.588mm，且所述第一金属层的面积为24.28mm²。

6.一种整流基材制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、提供一晶圆片，在所述晶圆片上形成多个圆形切割图案；

S2、对所述圆形切割图案的边缘线进行腐蚀，在所述晶圆片上形成圆环沟槽；

S3、采用激光划片机沿圆环沟槽进行切割，得到多个圆形硅片；

S4、在所述圆形硅片上形成圆形的第一台面和圆环形的第二台面，所述第一台面高于所述第二台面，且所述第二台面围绕所述第一台面，最终得到整流基材。

7.根据权利要求6所述的整流基材制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

提供一经过清洗、扩散后的晶圆片；

在所述晶圆片表面涂覆光刻胶，在所述光刻胶上设计多个圆形切割图案；

对所述圆形切割图案的边缘线曝光并显影，在所述晶圆片上形成多个所述圆形切割图案。

8.根据权利要求7所述的整流基材制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

设定环境温度和腐蚀时间，采用酸性溶液对所述圆形切割图案的边缘线进行腐蚀，形成圆环沟槽，其中，所述圆形沟槽的底端到所述晶圆片底部表面的距离范围为50μm-100μm，包括端点值。

9.根据权利要求8所述的整流基材制备方法，其特征在于，所述环境温度为零下15摄氏度；所述腐蚀时间的范围为18min-20min，包括端点值；所述酸性溶液包括氢氟酸、硝酸、乙酸和硫酸，其浓度比例为氢氟酸：硝酸：乙酸：硫酸=11：9：12：7。

10.根据权利要求9所述的整流基材制备方法，其特征在于，所述激光划片机所产生的激光波长为1064nm，激光频率为65kHz，激光功率为20W，切割速度为80mm/s。