[发明专利]移位寄存器模块和其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种移位寄存器的电路，尤其是涉及一种用于显示装置的移位寄存器的电路。

背景技术

图1示出为现有的栅极驱动模块的方块图。请参照图1，现有的栅极驱动模块100可以适用于一显示装置，其包括多个移位寄存器，例如102、104、106和108。此外，在图1中，标示Vst表示为起始信号、标示CK和XCK皆表示为频率信号、标示Bi₁和Bi₂皆表示为输入信号，而标示G_n-1、G_n、G_n+1和G_n+2皆表示为栅极驱动信号。另外，每一移位寄存器皆具有三个晶体管，分别以M1、M2与M3来标示。以移位寄存器102的操作为例，其晶体管M1与M2的栅极端分别接收起始信号Vst与栅极驱动信号G_n，并据以决定是否将输入信号Bi₁传送至晶体管M3的栅极端，以对晶体管M3的栅极端进行充电。而移位寄存器102中的晶体管M3则依据其栅极端的电压大小而决定是否将频率信号CK传送至移位寄存器102的输出端，以形成栅极驱动信号G_n-1。至于移位寄存器104～108的操作，本领域具有通常知识的人员可依前述移位寄存器102的操作方式而推得，在此便不再赘述。

从图1所示的栅极驱动模块100可知，移位寄存器102和104接收同一输入信号Bi₁，而移位寄存器106和108则接收同一输入信号Bi₂。意即，同一输入信号提供至连续相邻两级的移位寄存器。然而，这样的做法会使得画面出现明显的横纹，以图2来说明。图2示出为图1的栅极驱动模块的主要信号的时序图。在图2中，标示相同于图1中的标示者表示为相同信号。此外，在图2中，标示G_n-1_NODE1表示移位寄存器102中的晶体管M3的栅极端的电压大小，而G_n_NODE1表示移位寄存器104中的晶体管M3的栅极端的电压大小。由图2可知，当移位寄存器102中的晶体管M3的栅极端被充电至高位准时（如标示G_n-1_NODE1所示），移位寄存器102会对应产生并输出栅极驱动信号G_n-1，而当移位寄存器104中的晶体管M3的栅极端被充电至高位准时（如标示G_n_NODE1所示），移位寄存器104会对应产生并输出栅极驱动信号G_n。当移位寄存器102与104中的晶体管M3的栅极端被充电至高位准时，对应的晶体管M1与M2便会被关闭，然而由于移位寄存器102中的晶体管M3的栅极端被充电至高位准时，输入信号Bi₁呈现高位准，而移位寄存器104中的晶体管M3的栅极端被充电至高位准时，输入信号Bi₁呈现低位准，因而造成自移位寄存器104中的晶体管M3的栅极端流向输入信号Bi₁的漏电流，会远大于自移位寄存器102中的晶体管M3的栅极端流向输入信号Bi₁的漏电流。如此一来，就会造成栅极驱动信号G_n-1与G_n这两者的脉冲会有不同位准下降时间，进而使得显示装置的画面上产生明显的横纹。同样地，移位寄存器106与108也会有相同的情形。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种移位寄存器模块，可以应用于显示装置，以避免上述在显示装置上发生横纹的情形。

本发明也提供一种显示装置，可以避免上述在画面上产生横纹的情形。

此外，本发明还提供一种显示装置的控制方法，可以避免上述在显示装置的画面上的横纹。