[发明专利]一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法无效
申请号: | 201310527814.6 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN104591255A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 孙立 | 申请(专利权)人: | 孙立 |
主分类号: | C01G3/02 | 分类号: | C01G3/02 |
代理公司: | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人: | 刘伯平 |
地址: | 222000 江苏省连云港*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 氯化铜 蚀刻 废液 制备 微米 氧化铜 方法 | ||
1.一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法,其特征在于将酸性蚀刻废液加水稀释、还原、中和、过滤、洗涤、干燥而成。
2.根据权利要求1所述一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法,其特征在于所述稀释是将氯化铜蚀刻废液加水稀释至铜离子浓度为10-20克/升。
3.根据权利要求1所述一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法,其特征在于所述还原时向稀释后的氯化铜蚀刻废液中加入葡萄糖,葡萄糖与铜离子摩尔比为1:1.5,还原温度为80℃。
4.根据权利要求1所述一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法,其特征在于所述中和是用氢氧化钠进行中和。
5.根据权利要求1所述一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法,其特征在于所述洗涤是用无水乙醇进行洗涤。
6.根据权利要求1所述一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法,其特征在于所述干燥是将滤饼置于50-70℃的真空干燥箱中干燥1-2小时。
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