[发明专利]一种隐形眼镜片的制作工艺无效
申请号: | 201310527234.7 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN104597618A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 王金青 | 申请(专利权)人: | 王金青 |
主分类号: | G02C7/04 | 分类号: | G02C7/04;C08F265/04;C08F220/06;C08F226/10;C08K3/02;C08L51/00 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 郭俊玲 |
地址: | 212300 江苏省镇江市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 隐形 眼镜片 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于眼镜制造领域,具体涉及一种隐形眼镜片的制作工艺。
背景技术
眼镜是以矫正视力或保护眼睛而制作的简单光学器件,由镜片和镜架组成,矫正视力用的眼镜有近视眼镜和远视眼镜、老花眼镜以及散光眼镜四种。需要佩戴眼镜的人们深感行动不便,由此隐形眼镜应运而生,近年来,佩戴眼镜的人数量日益增多,眼镜的生产数量大幅度提升,隐形眼镜的需求量也在与日俱增。中国专利申请号为CN200480037880.4公开了种具有高氧透过性以及机械强度,残留的未聚合单体量极少、且吸水率低、透镜的形状稳定性优良的CL材料,含有含聚硅氧烷的单体的共聚合成分进行聚合得到的共聚物的隐形眼镜片,其是该共聚物中残留的未聚合单体成分在该共聚物中残留量合计在3.5重量%或更低,该共聚物的氧透过系数130×10-11(CM2/SEC)·(MLO2/(ML·MMHG))或更高,并且该共聚物的吸水率为0.3重量%或更低的隐形眼镜片,但是该隐形眼镜片含水量低,透气性差,湿润度低,并且抗沉淀性能差。
发明内容
针对现有技术上存在的不足,本发明提供一种变废为宝的隐形眼镜片的制作工艺。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:
一种隐形眼镜片的制作工艺,包括如下步骤:
(1)原料选择:按质量配比,取聚甲基丙烯酸羟乙酯50%,甲基丙烯酸18%,N-乙烯基比咯烷酮10%,硅12%和氟10%;
(2)悬液制备:向溶解罐中加入足量的水,加热,控制温度在60~80℃之间,30min之后,向溶解罐中缓慢加入聚甲基丙烯酸羟乙酯,控制在60~80℃之间,轻度搅拌,制得溶解悬液;
(3)交联:将甲基丙烯酸和N-乙烯基比咯烷酮按照质量比9:5投入步骤(2)制得的悬液中,缓慢搅拌,放置10~15h;
(4)混合改性:分别将硅和氟磨成粉末,按照质量比为6:5投入溶解罐中,加热至60℃以上,搅拌均匀;
(5)真空清洗:将溶解罐抽成真空,经常规超声波清洗仪用纯度为10~12兆的纯水进行清洗;
上述的隐形眼镜片的制作工艺中,所述步骤(2)中,所述悬液pH控制在6~7之间。
上述的隐形眼镜片的制作工艺中,所述步骤(4)中,所述硅和氟研磨之后过20~100目筛。
上述的隐形眼镜片的制作工艺中,所述步骤(5)中,所述真空清洗之后将制成的材料放置于温度低于10℃的环境中保存。
有益效果:将原料经过选择、悬液制备、交联、混合改性、真空清洗五个步骤的处理,使生产隐形眼镜的材料含水量高,透气性好,并且具有很高的湿润度和抗沉淀性能,在原料选择中,聚甲基丙稀酸羟乙酯是很好的吸水单体,在交联中,加入甲基丙烯酸和N-乙烯基比咯烷酮,使材料吸水性能更好,增大材料的含水量,在混合改性中,硅和氟的结合能增加材料的透气性,含硅材料的镜片有很高的湿润度和抗沉淀性,真空清洗使材料纯化程度高,杂质被消除,工艺简单合理,适于推广使用。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
实施例1:
(1)原料选择:按质量配比,取聚甲基丙烯酸羟乙酯50%,甲基丙烯酸18%,N-乙烯基比咯烷酮10%,硅12%和氟10%;
(2)悬液制备:向溶解罐中加入足量的水,加热,控制温度在60~80℃之间,30min之后,向溶解罐中缓慢加入聚甲基丙烯酸羟乙酯,控制在60~80℃之间,轻度搅拌,pH控制在6~7之间,制得溶解悬液;
(3)交联:将甲基丙烯酸和N-乙烯基比咯烷酮按照质量比9:5投入步骤(2)制得的悬液中,缓慢搅拌,放置10~15h;
(4)混合改性:分别将硅和氟磨成粉末,过20~100目筛,按照质量比为6:5投入溶解罐中,加热至60℃以上,搅拌均匀;
(5)真空清洗:将溶解罐抽成真空,经常规超声波清洗仪用纯度为10~12兆的纯水进行清洗,放置于温度低于10℃的环境中保存。
实施例2:其余与所述实施例1相同,不同之处在于,所述步骤(2)中控制温度为60℃,步骤(3)中控制放置时间为10h,步骤(5)中所使用的纯度为10兆。
实施例3:其余与所述实施例1相同,不同之处在于,所述步骤(2)中控制温度为80℃,步骤(3)中控制放置时间为15h,步骤(5)中所使用的纯度为12兆。
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