[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，被至少部分地形成在半导体衬底中，所述半导体衬底包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面和所述第二主表面彼此相对，所述半导体器件包括单元场部分和接触区域，所述接触区域被电耦合到所述单元场部分，所述单元场部分至少包括晶体管，所述接触区域包括：

与其它衬底部分绝缘且包括所述半导体衬底的一部分的连接衬底部分，所述连接衬底部分未利用所述半导体衬底而被电耦合到所述单元场部分的部件；

与所述第二主表面邻近且与所述连接衬底部分接触的电极；以及

在所述第一主表面上设置的金属层，所述连接衬底部分经由对衬底接触沟槽内的导电材料的接触部而被电耦合到所述金属层以形成所述电极和所述金属层之间的接触。

2.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括：在所述第一主表面和所述金属层之间设置的绝缘层；和导电元件，所述连接衬底部分经由所述导电元件而被电耦合到所述金属层。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述单元场部分的晶体管包括源极区、漏极区和栅电极。

4.根据权利要求3的半导体器件，其中所述栅电极被设置在所述半导体衬底的所述第一主表面中形成的沟槽中，所述栅电极被电耦合到所述第一主表面上的金属层。

5.根据权利要求3的半导体器件，其中所述源极区与所述第一主表面邻近，并且所述漏极区与所述第二主表面邻近，所述半导体器件进一步包括由在所述第一主表面上设置的第二金属层形成的源电极，所述源电极被电耦合到所述源极区。

6.根据权利要求4的半导体器件，进一步包括由在所述第二主表面上设置的金属层形成的漏电极，所述漏电极被电耦合到所述漏极区。

7.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括从所述第一主表面延伸到所述第二主表面的隔离沟槽，其中所述连接衬底部分通过所述隔离沟槽与其它衬底部分绝缘。

8.根据权利要求7的半导体器件，其中所述隔离沟槽被填充有与所述半导体衬底绝缘的导电材料。

9.根据权利要求7的半导体器件，其中所述单元场部分的所述晶体管包括源极区、漏极区和栅电极，并且其中所述隔离沟槽内部的所述导电材料被电耦合到所述栅电极。

10.根据权利要求7的半导体器件，其中所述单元场部分中的所述晶体管包括源极区、漏极区和栅电极，并且其中所述隔离沟槽的所述导电材料被电耦合到所述源极区。

11.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括与所述第一主表面邻近地设置且与所述金属层连接的传感器。

12.根据权利要求2的半导体器件，其中所述导电元件包括在所述第一主表面中形成的沟槽，所述沟槽被填充有导电材料。

13.根据权利要求12的半导体器件，进一步包括与所述第二主表面邻近的掺杂衬底部分，其中所述沟槽延伸到所述掺杂衬底部分。

14.根据权利要求4的半导体器件，其中所述栅电极经由栅极接触沟槽而被电耦合到所述第一主表面上的所述金属层。

15.一种半导体器件，被至少部分地形成在半导体衬底中，所述半导体衬底包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面和所述第二主表面彼此相对，所述半导体器件包括单元场部分和接触区域，所述接触区域被电耦合到所述单元场部分，所述单元场部分至少包括晶体管，所述接触区域包括：

与其它衬底部分绝缘且包括所述半导体衬底的一部分的连接衬底部分；

与所述第二主表面邻近且与所述连接衬底部分接触的电极；

在所述第一主表面上设置的金属层，所述连接衬底部分被电耦合到所述金属层以形成所述电极和所述金属层之间的接触；

在所述第一主表面和所述金属层之间设置的绝缘层；和

在所述第一主表面中形成的沟槽，所述沟槽被填充有导电材料，所述连接衬底部分经由对所述沟槽内的导电材料的接触部而被电耦合到所述金属层。

16.根据权利要求15的半导体器件，进一步包括与所述第二主表面邻近的掺杂衬底部分，其中所述沟槽延伸到所述掺杂衬底部分。