[发明专利]用于激光加工多波长高功率半导体激光器光源系统

权利要求书

1.用于激光加工多波长高功率半导体激光器光源系统，包括半导体激光叠阵和设置于半导体激光器出光方向的整形模块；其特征在于：半导体激光器叠阵的每个半导体激光器单元安装有波长不同的两组激光芯片，其中第一激光芯片组与第二激光芯片组出光平行，记第一激光芯片组的波长为λ₁，第二激光芯片组的波长为λ₂；所述整形模块包括反射镜和滤光片，该滤光片镀有对波长为λ₁的激光高反射的膜和对波长为λ₂的激光高透的膜；所述反射镜设置于第一激光芯片组出光光路上，所述滤光片设置于第二激光芯片组出光光路上，反射镜镜面与滤光片平行设置，使得第二激光芯片组的激光通过滤光片与第一激光芯片组的激光合束出射。

2.根据权利要求1所述的用于激光加工多波长高功率半导体激光器光源系统，其特征在于：所述反射镜和滤光片均在所处光路中成45度角设置。

3.根据权利要求1或2所述的用于激光加工多波长高功率半导体激光器光源系统，其特征在于：所述每个半导体激光器单元包括液体制冷块、绝缘层和电极层；其中，液体制冷块由导电导热材料制成，该液体制冷块在平面上分为主体制冷区和芯片安装区，所述第一激光芯片组和第二激光芯片组的正极面焊接在芯片安装区，绝缘层焊接覆盖在主体制冷区上，电极层整体焊接覆盖在绝缘层以及第一激光芯片组和第二激光芯片组的负极面上。

4.根据权利要求3所述的用于激光加工多波长高功率半导体激光器光源系统，其特征在于：第一激光芯片组和第二激光芯片组分置于芯片安装区的两侧，所述电极层对应于芯片安装区的部分为U型，该U型部贴紧第一激光芯片组和第二激光芯片组。

5.根据权利要求4所述的用于激光加工多波长高功率半导体激光器光源系统，其特征在于：第一激光芯片组和第二激光芯片组均采用单个芯片。

6.根据权利要求3所述的用于激光加工多波长高功率半导体激光器光源系统，其特征在于：所述电极层材料采用金或铜，绝缘层材料为聚酰亚胺、聚酯材料或陶瓷。