[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310522011.1 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104576503A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王刚宁;戴执中;冯喆韻;贺吉伟;浦贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成氧化层和氮化物层；
图案化所述氮化物层、所述氧化层和所述半导体衬底，以形成深沟槽；
氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第一氧化物层；
湿法刻蚀去除所述第一氧化物层，以使所述深沟槽的侧壁相对于所述氮化物层的侧壁向内凹陷；
再氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第二氧化物层，所述第二氧化物层与所述氮化物层的侧壁齐平；
刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述第二氧化物层。
2.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成氧化层和氮化物层；
图案化所述氮化物层、所述氧化层和所述半导体衬底，以形成深沟槽；
采用湿法清洗去除部分的所述深沟槽侧壁表面的氧化层；
刻蚀所述深沟槽的侧壁，以使所述深沟槽的侧壁相对于所述氮化物层的侧壁向内凹陷；
氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成氧化物层，所述氧化物层与所述氮化物层的侧壁齐平；
刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述氧化物层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述第二氧化物层。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述氧化物层。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述深沟槽的侧壁。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用热氧化工艺执行所述氧化步骤。
7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮化物层的材料为氮化硅。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗去除的所述氧化层为自然氧化物层。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用干法或者湿法刻蚀所述深沟槽的侧壁。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述刻蚀工艺具有所述深沟槽的侧壁对所述氮化物层的高刻蚀选择比。
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