[发明专利]SE太阳能电池及其制作方法有效
| 申请号： | 201310521409.3 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103560170A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 童锐;张小刚;储凤舞;杨大谊 | 申请（专利权）人： | 太极能源科技（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | se 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种SE太阳能电池的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供第一类型半导体衬底并进行酸制绒，在所述第一类型半导体衬底表面形成蜂窝状绒面结构；
S2：在所述蜂窝状绒面结构上形成一层掩模，所述掩模覆盖上电极印刷区域；
S3：接着将所述第一类型半导体衬底进行碱制绒，在所述掩模未覆盖区域形成金字塔绒面结构；
S4：去除所述掩模；
S5：然后对所述第一类型半导体衬底进行整面第二类型轻掺杂；
S6：再对所述第一类型半导体衬底的上电极印刷区域进行第二类型重掺杂；
S7：最后依次进行边缘刻蚀、清洗、沉积减反射膜、形成上下电极及测试，完成SE太阳能电池的制作。
2.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述掩模为石蜡掩模。
3.根据权利要求2所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：于所述步骤S4中，在300～500℃的含氧气氛下去除所述石蜡掩模。
4.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一类型半导体衬底为单晶硅衬底。
5.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1中，将所述第一类型半导体衬底置于酸溶液中并保持100～1000秒。
6.根据权利要求5所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述酸溶液为氢氟酸与硝酸的混合溶液。
7.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，将所述第一类型半导体衬底置于碱溶液中并保持500～3000秒。
8.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述碱溶液包括KOH或NaOH。
9.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的制作方法，其特征在于：于所述步骤S6中，利用激光照射进行所述第二类型重掺杂。
10.一种SE太阳能电池，包括：
第一类型半导体衬底；
第二类型轻掺杂层，形成于所述第一类型半导体衬底表面；
第二类型重掺杂层，包括若干分立排列的第二类型重掺杂区；所述第二类型重掺杂区形成于所述第二类型轻掺杂层中并深入所述第二类型轻掺杂层下方的第一类型半导体衬底内；
若干上电极，形成于所述重掺杂层表面；
减反射膜，形成于所述上电极之间的第二类型轻掺杂层表面；
下电极，形成于所述第一类型半导体衬底背面；
其特征在于：
所述上电极与所述第二类型重掺杂层的接触面为蜂窝状绒面结构；所述上电极之间的第二类型轻掺杂层及减反射膜表面为金字塔绒面结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
