[发明专利]一种用于电池的保护电路无效
| 申请号: | 201310521232.7 | 申请日: | 2013-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN103532105A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
| 发明(设计)人: | 黄友华 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 电池 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路领域,更具体的说是涉及一种用于电池的保护电路。
背景技术
很多设备都会用到电池,尤其是对那些无人值守的设备,其作为备用电源,即交流电断电后,电池才开始工作。在对电池进行保护时,对电池进行电压保护,当电池电压降到一定值时,回路将被断开,但由于负载断开后,电池电压会迅速的上升,又重新给负载供电,这样电池将重复“断开-供电-断开-供电”的过程,这将给电池的寿命带来很大影响,在一开一断过程中,很有可能会损坏电池。
发明内容
本发明提供一种用于电池的保护电路,其利用滞回原理对电池进行保护,避免电池陷入“断开-供电-断开-供电”的过程,提高电池的使用寿命。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种用于电池的保护电路,它包括可变电阻R1,所述的可变电阻R1的一端与场效应管MOS1的漏极相连且同时连接在电源上,另一端连接在二极管的阴极上,可变电阻R1的调节端连接在场效应管MOS1的栅极上;所述的二极管的阳极接地;所述的场效应管MOS1的源极上连接有电阻R2,所述的电阻R2上串联有电阻R3;所述的电阻R2和电阻R3的公共端连接在比较器的同相输入端上,所述的二极管的阴极连接在比较器的反相输入端上,所述的比较器的输出端和反相输入端之间连接有电阻R4;所述的比较器的输出端通过电阻R6连接在三极管的基极上;所述的三极管的发射极接地,集电极连接在场效应管MOS2的栅极上,所述的三极管的集电极和场效应管MOS1的源极之间连接有电阻R7;所述的场效应管MOS2的漏极连接在场效应管MOS1的源极上;所述的场效应管MOS2的源极与地之间连接有电阻R8。
更进一步的技术方案是:
所述的电阻R2和电阻R3的阻值比为4:1。
所述的比较器为LM2903D 。
所述的可变电阻R1的最大可调值为100KΩ。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明利用比较器组成具有滞回功能的保护电路,当电池电压低于一定值时即断开连接,避免电池陷入“断开-供电-断开-供电”的过程,对电池进行保护。
2、本发明的电路结构简单,对电池进行保护,可提高电池的使用寿命。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种用于电池的保护电路,它包括可变电阻R1,所述的可变电阻R1的一端与场效应管MOS1的漏极相连且同时连接在电源上,另一端连接在二极管的阴极上,可变电阻R1的调节端连接在场效应管MOS1的栅极上;所述的二极管的阳极接地;所述的场效应管MOS1的源极上连接有电阻R2,所述的电阻R2上串联有电阻R3;所述的电阻R2和电阻R3的公共端连接在比较器的同相输入端上,所述的二极管的阴极连接在比较器的反相输入端上,所述的比较器的输出端和反相输入端之间连接有电阻R4;所述的比较器的输出端通过电阻R6连接在三极管的基极上;所述的三极管的发射极接地,集电极连接在场效应管MOS2的栅极上,所述的三极管的集电极和场效应管MOS1的源极之间连接有电阻R7;所述的场效应管MOS2的漏极连接在场效应管MOS1的源极上;所述的场效应管MOS2的源极与地之间连接有电阻R8。
本发明利用比较器构成具有滞回功能的比较电路,电阻R2和电阻R3串联给比较器提供一个参考电压,另一参考电压由二极管产生,其可采用LM285Z,其可大大降低电池在低压闭锁状态的功耗。比较器的输出控制场效应管MOS2、三极管的接通或断开。当电池电压降到一定程度时,三极管关断,使得比较器组成的保护电路与电池断开,减小电池的能耗;当电池电压恢复时,三极管导通,电路重新工作。即其可避免电池陷入“断开-供电-断开-供电”的过程,以保护电池,提高电池的使用寿命。电路中,场效应管MOS1和场效应管MOS2均为P型场效应管。
由于参考电压时由电池电压提供,他必须比电池电压小的多,但是该电压也不应太低,综述,所述的电阻R2和电阻R3的阻值比为4:1。
所述的比较器为LM2903D 。LM2903D为双路差分比较器,其低功耗,可降低整个电路的功耗。
为了进一步的增强本电路的灵敏度,所述的可变电阻R1的最大可调值为100KΩ。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均落入本发明的保护范围之内。
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