[发明专利]集成电路和存储器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年4月17日提交的申请号为10-2013-0042205的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种集成电路和存储器件，更具体而言，涉及一种用于集成电路的启动操作。

背景技术

图1是说明执行修复操作的传统的存储器件的框图。

参见图1，存储器件包括：单元阵列110，所述单元阵列110包括多个存储器单元；行电路120，所述行电路120激活通过行地址R_ADD选中的行（或字线）；以及列电路130，所述列电路130存取（例如读取或写入）通过列地址C_ADD选中的列（或位线）的数据。

行熔丝电路140将与单元阵列110中有缺陷的存储器单元相对应的行地址作为修复行地址REPAIR_R_ADD来储存。行比较单元150将储存在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD与从存储器件的外部输入的行地址R_ADD进行比较。当修复行地址REPAIR_R_ADD与行地址R_ADD一致时，行比较单元150控制行电路120来激活冗余行（或冗余字线）而不是由行地址R_ADD表示的行。

列熔丝电路160将与单元阵列110内有缺陷的存储器单元相对应的列地址作为修复列地址REPAIR_C_ADD储存。列比较单元170将储存在列熔丝电路160中的修复列地址REPAIR_C_ADD与从存储器件的外部输入的列地址C_ADD进行比较。当修复列地址REPAIR_C_ADD与列地址C_ADD一致时，列比较单元170控制列电路130来访问冗余列（或者冗余位线）而不是由列地址C_ADD表示的列。供作参考，在图1中，“DATA”表示数据或数据焊盘。

通常，激光熔丝主要用于熔丝电路140和160。激光熔丝根据熔丝是否被切断来储存逻辑高数据或逻辑低数据。激光熔丝的编程可以在晶圆状态下执行，但是熔丝的编程不可以在晶圆安装在封装体内部之后执行。此外，由于线节距（pitch）的限制，激光熔丝不可以被设计成小的电路面积。

为了克服这种问题，如在美国专利号为6,904,751、6,777,757、6,667,902、7,173,851以及7,269,047中公开的，存储器件包括可编程储存单元，诸如：电熔丝（e-熔丝）阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、铁电RAM（FRAM）、磁阻RAM（MRAM）、自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）、阻变RAM（ReRAM）、或者相变RAM（PCRAM）的。将包括例如故障地址的修复信息储存在可编程储存单元中。

图2是说明包括用于储存修复信息的可编程储存单元的传统的存储器件的框图。

参见图2，存储器件包括：多个存储体BK0至BK3、多个寄存器单元210_0至210_3、以及可编程储存单元201，所述多个寄存器单元210_0至210_3被提供用于各个存储体BK0至BK3以储存修复信息。

图1中所示的熔丝电路140和160用可编程储存单元201来替代。这里，将与全部存储体BK0至BK3相对应的包括例如故障地址的修复信息储存。可编程储存单元201可以包括e-熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、EPROM、EEPROM、FRAM、MRAM、STT-MRAM、ReRAM、以及PCRAM中的一种。

提供在存储体BK0至BK3中的多个寄存器单元210_0至210_3可以分别储存关于相应存储体的修复信息。即，寄存器单元210_0可以储存关于存储体BK0的修复信息，而寄存器单元210_2可以储存关于存储体BK2的修复信息。多个寄存器单元210_0至210_3中的每个可以包括锁存器电路，并且可以仅当供应电源时储存修复信息。要储存在多个寄存器单元210_0至210_3中的修复信息可以从可编程储存单元201传送。可编程储存单元201将从启动使能信号BOOTEN的激活时刻起储存的修复信息传送至多个寄存器单元210_0至210_3。