[发明专利]一种SiC衬底GaN基LED的制备方法

权利要求书

1.一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，包括以下步骤：

第一步：一次光刻,采用光刻技术在外延片表面制作图形化的光刻胶掩模,定义出芯片P区、N区;

第二步：使用感应耦合等离子体刻烛机蚀刻掉N区外延层上的p-GaN、MQW以及部分n-GaN,刻烛深度为1.3um;

第三步：使用电子束蒸发台在外延片上蒸镀ITO透明导电薄膜;

第四步：二次光刻,采用光刻技术进行套刻,使用光刻胶作为掩模,选择性腐烛掉N区上面镀上的ITO;

第五步：对ITO进行500度的退火,使ITO和p-GaN形成欧姆接触;

第六步：三次光刻,采用光刻技术,使用光刻胶在外延片表面定义出金属电极图形;

第七步：蒸镀Cr/Au金属电极,剥离光刻胶得到图形化的p、n金属电极,并对电极进行微合金处理;

第八步：采用PECVD技术制作Si0₂钝化膜；

第九步：四次光刻,采用光刻腐蚀工艺暴露出p、n金属焊盘;

第十步：Wafer测试;

第十一步：SiC衬底减薄,芯片切割。

2.根据权利要求1所述的一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，其特征在于：在所述第二步中，所述感应耦合等离子体采用的刻蚀气体为氯气和三氯化硼气体。

3.根据权利要求1或2所述的一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，其特征在于：在所述第三步中，在所述蒸镀的过程中通入7seem流量的氧气,以提高所述ITO的薄膜的透明度。

4.根据权利要求3所述的一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，其特征在于：在所述第八步中，合成所述Si0₂的气体为SiH₄和N₂0。

5.根据权利要求1或2所述的一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，其特征在于：在所述第八步中，合成所述Si0₂的气体为SiH₄和N₂0。