[发明专利]柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法

权利要求书

1.一种柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一）在柔性塑料衬底上通过印刷或磁控溅射方法覆盖一层金属材料，然后光刻和刻蚀形成栅电极结构的栅电极层；

步骤二）在所述栅电极层上通过电镀或磁控溅射方法覆盖一绝缘介质层；

步骤三）在所述绝缘介质层上通过印刷技术转移单层或数层的石墨烯层；

步骤四）在所述石墨烯层上通过印刷技术转移一层二硫化物薄膜，所述二硫化物薄膜位于石墨烯层和栅介质层之上；

步骤五）通过印刷或磁控溅射的方法分别在石墨烯层和二硫化物薄膜上淀积第一电极层和第二电极层。

2.根据权利要求1所述的柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于：步骤一中所述金属材料可以为铬、钛或铝，厚度为100～300纳米。

3.根据权利要求1所述的柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于：步骤二中所述绝缘介质层材料为氮化硅、氧化硅、氧化铪或氧化铝。

4.根据权利要求1所述的柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于：步骤三中通过掺杂的方法改变所述石墨烯层的导电性质。

5.根据权利要求1所述的柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于：步骤三中通过在栅电极上施加电压控制石墨烯层的能带结构，从而改变光电晶体管的光电特性。

6.根据权利要求1所述的柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于：步骤四中所述二硫化物薄膜为MoS2或WS2半导体层，厚度为10～300纳米。

7.根据权利要求1所述的柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于：步骤五中沉积的第一电极层和第二电极层厚100～300纳米，采用铬、钛、铝或金制成。

8.根据权利要求7所述的柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，其特征在于：所述第一电极层和所述第二电极层可以为同一种材料，也可以为不同的材料。