[发明专利]高精度电压编程像素电路及OLED显示器在审
申请号: | 201310518296.1 | 申请日: | 2013-10-28 |
公开(公告)号: | CN103545343A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 刘萍 | 申请(专利权)人: | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高精度 电压 编程 像素 电路 oled 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及有源驱动有机发光显示技术,特别是涉及一种高精度电压编程像素电路及具有这种电路的OLED显示器。
背景技术
与液晶显示(LCD)相比,有机发光(AMOLED)显示器在近些年正受到广泛的关注。图1显示了一个简单AMOLED的2-TFT像素电路。从图1中可以看出,数据线提供了驱动薄膜晶体管(TFT)所需要的信号电压,扫描线决定TFT的开关状态,存储在Cs上的电压被T1转化为通过OLED的电流。因为T1管阈值电压存在漂移,这个简单的电路不能被用做像素电路来驱动OLED,因为OLED的电流和亮度在某一特定的电压范围内随着时间的延长而衰减。由于在栅源电压作用下,不能准确预测TFT的阈值电压的漂移过程,有必要对T1管的阈值电压漂移进行补偿,以稳定OLED亮度。
在多种阈值电压补偿方案中,基于电压编程的像素电路由于稳定时间快而吸引了众多人的注意。在这种电压编程电路中,存储电容器Cs被预先充入一定的电压Vc,在补偿期间,电压通过一个二极管连接的驱动管T1放电,直到电压达到阈值电压值,然后Cs停止充电,如图2所示。此时,T1关闭,Cs停止放电。然后,数据电压加到Cs上,形成T1的栅极电压Vdata+Vth。如果T1在饱和范围,通过T1的电流不受Vth的影响。
然而,这种方案有两个缺陷:其一,电路的时间常数由驱动管T1的跨导gm决定。当电容电压下降时,gm也随着下降,这样电流非常低,达到理想的阈值电压Vth时间很长。其二,即便Vc达到Vth值,由于阈值电流的影响,Vc会继续下降,这样就不可能准确地测量阈值电压。。
发明内容
本发明的目的是提供一种编程更快、精度更高、且结构简单的电压编程像素电路,来解决驱动管阈值电压漂移的问题。
另一目的是提供具有该电压编程像素电路的OLED显示器。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种高精度电压驱动像素电路,包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容器和OLED,所述TFT驱动管的栅极与所述电容器的一端以及第一、二TFT开关的源极或漏极相连,所述TFT驱动管的源极接驱动管源极电源,所述TFT驱动管的漏极与所述第一TFT开关的源极或漏极以及所述OLED的阴极相连,所述第二TFT开关的源极或漏极连接到信号线,栅极连接到第二扫描线,所述第一TFT开关管的栅极连接到第一扫描线,所述OLED的阳极连接到电压源,所述电容器的另一端连接地。
进一步地:
所述第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管为N型TFT。
所述第一TFT开关管、第二TFT开关管为P型TFT,所述TFT驱动管为N型TFT。
所述第一TFT开关管与所述第一扫描线之间接有反向器,所述第二TFT开关管与所述第二扫描线之间接有反向器。
所述第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管采用MOS场效应管、非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管或有机薄膜晶体管中的任意一种。
一种OLED显示器,具有如上所述的高精度电压驱动像素电路。
所述OLED为AMOLED。
本发明的电压编程像素电路可以有效补偿驱动TFT的阈值电压偏移,与现有技术相比,尤其是可以实现更快速、更高精度的阈值电压漂移补偿,具有编程时间短、误差率低的优点,而且其结构也较为简单。
附图说明
图1是现有技术中有源驱动有机发光显示器的2-TFT像素电路图;
图2是现有技术中有源驱动有机发光显示器的阈值电压补偿电路原理图;
图3是本发明一种实施例的电压编程像素电路图;
图4是本发明实施例的阈值电压补偿电路原理图;
图5是本发明电压编程像素电路图实施例的驱动时序图;
图6是本发明另一种实施例的电压编程像素电路图;
图7是本发明实施例中电流误差率与驱动管T1阈值电压漂移量的关系图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例作详细说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本发明的范围及其应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的